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发明名称 A METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A HIGH-K GATE DIELECTRIC LAYER AND A METAL GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号 KR100838851(B1) 申请公布日期 2008.06.16
申请号 KR20067021743 申请日期 2006.10.19
申请人 发明人
分类号 H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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