| 主权项 |
1.一种有机电激发光显示元件,至少包括: 一阳极; 一电洞传输层,形成于该阳极上; 一有机发光层,形成于该电洞传输层上; 一电子传输层,形成于该有机发光层上,该电子传 输层之材料系包括一矽烷化合物,化学式为: 其中,A1、A2、A3和A4为一烷基,一芳香基、一杂环基 或一炔基,且A1、A2、A3和A4系为相同或相异;和 一阴极,形成于该电子传输层上。 2.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该矽 烷化合物之化学式为: R1、R2系分别为一取代基或一氢原子,m和n为整数且 m+n=4。 3.如申请专利范围第2项所述之显示元件,其中A系 为一烷基,一芳香基、一杂环基或一炔基。 4.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该电 子传输层之材料更包括一n型物质。 5.如申请专利范围第4项所述之显示元件,其中该n 型物质系包括一金属氧化物或一有机金属盐类。 6.如申请专利范围第5项所述之显示元件,其中该金 属氧化物之一阳离子系为锂离子、钠离子、钾离 子、铯离子、镁离子、钙离子或钡离子,该金属氧 化物之一阴离子系为氧离子、氟离子、氯离子、 溴离子、碘离子、碳酸根离子、硝酸根离子或醋 酸根离子。 7.如申请专利范围第5项所述之显示元件,其中该有 机金属盐类之一阳离子系为锂离子、钠离子、钾 离子、铯离子、镁离子、钙离子或钡离子,该有机 金属盐类之一阴离子系为一碳数30以下之脂肪族 或芳香族。 8.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该矽 烷化合物为TH-4,其化学式为: 9.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该电 子传输层之厚度范围约为100-500。 10.如申请专利范围第9项所述之显示元件,其中该 电子传输层之厚度约为300。 11.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该 电洞传输层之材料包括一胺类衍生物。 12.如申请专利范围第11项所述之显示元件,其中该 胺类衍生物为N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl -4,4-diamine(NPB)、N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)(1,1'- biphenyl)-4,4'-diamine(TPD)或4,4',4"-tris(2-naphthylphenylamino )triphenyl-amine(2T-NATA)。 13.如申请专利范围第11项所述之显示元件,其中该 电洞传输层之厚度范围约为50-5000。 14.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该 有机发光层之厚度范围约为50-5000。 15.如申请专利范围第1项所述之显示元件,更包括: 一电洞注入层,形成于该阳极与该电洞传输层之间 。 16.如申请专利范围第15项所述之显示元件,其中该 电洞注入层之材料包括一氟碳氢化合物、一紫质 衍生物或一P型掺杂胺类衍生物。 17.如申请专利范围第16项所述之显示元件,其中该 紫质衍生物系包括一Metallophthalocyanine衍生物。 18.如申请专利范围第17项所述之显示元件,其中该 Metallophthalocyanine衍生物系为铜青。 19.如申请专利范围第1项所述之显示元件,更包括: 一电子注入层,形成于该阴极与该电子传输层之间 。 20.如申请专利范围第19项所述之显示元件,其中该 电子注入层之材料包括一硷金属卤化物、一硷土 金属卤化物、一硷金属氧化物、或一金属碳酸化 合物。 21.如申请专利范围第19项所述之显示元件,其中该 电子注入层之材料系包括氟化锂、氟化铯、氟化 钠、氟化钙、氧化锂、氧化砷、氧化钠、碳酸锂 、碳酸铯、或碳酸钠。 22.如申请专利范围第19项所述之显示元件,其中该 电子注入层之厚度范围约为1-300。 23.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该 电洞传输层之材料系包括该矽烷化合物。 24.一种电激发光显示面板,至少包括如申请专利范 围第1项所述之有机电激发光显示元件。 25.一种矽烷化合物,化学式为 R1、R2系分别为一取代基或一氢原子,m和n为整数且 m+n=4,A系为一烷基,一芳香基、一杂环基或一炔基 。 图式简单说明: 第1图绘示依照本发明一较佳实施例之有机电激发 光元件之示意图。 第2图为对照组和本发明一实施例之元件结构的元 件效能示意图。 第3A、3B图为对照组和本发明一实施例之元件结构 的光色关系图。 |
