| 主权项 |
1.一种发光设备,包含一基板以及一设置于该基板 上的发光装置,其中该装置包含一落在一对电极之 间的发光层,由该发光层产生的光系透过基板发射 到设备外面,该设备的特征为:该基板具有一其上 形成有该发光装置的第一面以及一落在与该第一 面相对一侧上的第二面,该第二面指的是其上形成 有复数个凹凸结构的不均匀表面,其中这些凹凸结 构为不规则,各相邻凹凸结构之间的平均间隔Sm或 是凹凸结构之各相邻突起峰顶间的平均间隔S,都 不会小于由发光层产生光之最长波长的三倍且不 会大于该最长波长的两百倍,其中该不均匀表面必 需满足下列要求(i)到(vi)中的至少一项要求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 2.一种发光设备,包含一基板以及一设置于该基板 上的发光装置,其中该装置包含一落在一对电极之 间的发光层,由该发光层产生的光系透过基板发射 到设备外面,该设备的特征为:在该基板上与该发 光层相对的一侧上设置一透明构件,该透明构件具 有一面朝远离基板向的面且系一具有复数个凹凸 结构的不均匀表面,其中这些凹凸结构为不规则, 各相邻凹凸结构之间的平均间隔Sm或是凹凸结构 之各相邻突起峰顶间的平均间隔S,都不会小于由 发光层产生光之最长波长的三倍且不会大于该最 长波长的两百倍,其中该不均匀表面必需满足下列 要求(i)到(vi)中的至少一项要求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 3.一种发光设备,包含一基板以及一设置于该基板 上的发光装置,其中该装置包含一落在一对电极之 间的发光层,由该发光层产生的光系透过基板发射 到设备外面,该设备的特征为:该基板具有一其上 形成有该发光装置的第一面以及一落在与该第一 面相对一侧上的第二面,该第二面指的是其上形成 有复数个凹凸结构的不均匀表面,其中这些凹凸结 构是藉由喷沙的表面处理或在该第二面上形成光 致抗蚀剂以形成相对于这些凹凸结构之图样后蚀 刻该第二面而形成的,各相邻凹凸结构之间的平均 间隔Sm或是凹凸结构之各相邻突起峰顶间的平均 间隔S,都不会小于由发光层产生光之最长波长的 三倍且不会大于该最长波长的两百倍,其中该不均 匀表面必需满足下列要求(i)到(vi)中的至少一项要 求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 4.一种发光设备,包含一基板以及一设置于该基板 上的发光装置,其中该装置包含一落在一对电极之 间的发光层,由该发光层产生的光系透过基板发射 到设备外面,该设备的特征为:在该基板上与该发 光层相对的一侧上设置一透明构件,该透明构件具 有一面朝远离基板向的面且系一具有复数个凹凸 结构的不均匀表面,其中这些凹凸结构是藉由喷沙 的表面处理或在该第二面上形成光致抗蚀剂以形 成相对应于该凹凸结构之图样后蚀刻该第二面而 形成的,各相邻凹凸结构之间的平均间隔Sm或是凹 凸结构之各相邻突起峰顶间的平均间隔S,都不会 小于由发光层产生光之最长波长的三倍且不会大 于该最长波长的两百倍,其中该不均匀表面必需满 足下列要求(i)到(vi)中的至少一项要求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 5.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(i)。 6.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(ii)。 7.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(iii)。 8.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(iv)。 9.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(v)。 10.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中至少满足了要求(vi)。 11.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中系将棱镜薄片设置于以粹取由该发光层产生 之光的一侧。 12.如申请专利范围第1到4项中任一项之发光设备, 其中该发光装置指的是一种有机电致发光(EL)装置 。 13.如申请专利范围第2项或第4项之发光设备,其中 该透明构件系一种黏着性薄膜。 14.一种用于制造发光设备的方法,其特征为: 准备具有一第一面及一第二面之基板,该第二面系 落在该第一面相对一侧上; 于该第一面上形成一具有发光层的发光装置以及 使该发光层座落其间之一对电极;以及 藉由喷沙的表面处理或在该第二面上形成光致抗 蚀剂以形成相对于该凹凸结构之图样后蚀刻该第 二面,而于该第二面形成一具有复数个凹凸结构之 不均匀表面,其中各相邻凹凸结构之间的平均间隔 Sm或是凹凸结构之各相邻突起峰顶间的平均间隔S, 都不会小于由发光层产生光之最长波长的三倍且 不会大于该最长波长的两百倍,其中该不均匀表面 的形成方式是必需满足下列要求(i)到(vi)中的至少 一项要求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 15.如申请专利范围第14项之发光设备制造方法,其 中系在于该第一面上形成该发光层之后形成该不 均匀表面。 16.一种用于制造发光设备的方法,其特征为: 准备一基板; 于该基板上形成一具有发光层的发光装置以及使 该发光层座落其间之一对电极; 于该基板与该发光层相对的一侧上设置一类似薄 膜透明构件;以及 藉由喷沙的表面处理或在该第二面上形成光致抗 蚀剂以形成相对于该凹凸结构之图样后蚀刻该第 二面,而在该透明构件之一面上形成一具有复数个 凹凸结构的不均匀表面,其中各相邻凹凸结构之间 的平均间隔Sm或是凹凸结构之各相邻突起峰顶间 的平均间隔S,都不会小于由发光层产生光之最长 波长的三倍且不会大于该最长波长的两百倍,其中 该不均匀表面的形成方式是必需满足下列要求(i) 到(vi)中的至少一项要求: (i)该不均匀表面的算术平均斜率a系落在3≦a ≦20的范围内; (ii)该不均匀表面的均方根斜率q系落在4≦q ≦25的范围内; (iii)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各峰顶间 之平均间隔S的比例Ra/S系落在0.01≦Ra/S≦0.07的范 围内; (iv)该不均匀表面的算术平均粗糙度Ra与各凹凸结 构间之平均间隔Sm的比例Ra/Sm系落在0.004≦Ra/Sm≦0. 035的范围内; (v)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各峰顶 间之平均间隔S的比例Rz/S系落在0.05≦Rz/S≦0.30的 范围内;及 (vi)该不均匀表面不规则度之10-点高度Rz与各凹凸 结构间之平均间隔Sm的比例Rz/Sm系落在0.025≦Rz/Sm ≦0.14的范围内。 17.如申请专利范围第16项之发光设备制造方法,其 中系在于该基板上设置该透明构件之前形成该不 均匀表面。 18.如申请专利范围第16项之发光设备制造方法,其 中该透明构件系贴黏于基板上。 图式简单说明: 第1图系用以显示一种根据本发明第一实施例之有 机EL设备的截面图示。 第2图系用以显示该第一有机EL设备实例及一比较 用实例中,其亮度与算术平均斜率a之关系的曲 线图。 第3(a)图到第3(c)图系用以显示一种用于如第1图所 示之第一有机EL设备之形成方法的截面图示。 第4图系用以显示如第1图所示第一有机EL设备之一 种修正型式的截面图示。 第5图系用以显示该第一有机EL设备之一种修正型 式的截面图示,其中系将该发光装置取代为一无机 EL装置。 第6图系用以显示具有棱镜薄片之第一有机EL设备 的截面图示。 第7图系用以显示一种以该第一有机EL设备当作背 光之液晶显示单元的截面图示。 第8图系用以显示该第二有机EL设备之光出射表面 的均方根斜率q与透过光出射表面发射到外面之 光量额之关系的曲线图。 第9图系用以显示第三有机EL设备之光出射表面的 Ra/S比例与透过光出射表面发射到外面之光量额之 关系的曲线图。 第10图系用以显示第四有机EL设备之光出射表面的 Ra/Sm比例与透过光出射表面发射到外面之光量额 之关系的曲线图。 第11图系用以显示第五有机EL设备之光出射表面的 Rz/S比例与透过光出射表面发射到外面之光量额之 关系的曲线图。 第12图系用以显示第六有机EL设备之光出射表面的 Rz/Sm比例与透过光出射表面发射到外面之光量额 之关系的曲线图。 第13图系用以解释一种习知有机EL设备之缺点的截 面图示。 |
