| 主权项 |
1.一种制造LCD用之正型光阻组成物,其特征为含有 以下成分(A)至(C): (A)对23℃之2.38质量%氢氧化四甲铵水溶液的硷溶解 性为100至400奈米/秒范围之清漆树脂所成的硷可溶 性树脂, 对于(A)成分100质量份时,为1至30质量份之(B)经放射 线照射产生酸之化合物及对于(A)成分100质量份时, 为0.1至50质量份之(C)交联性聚乙烯醚化合物, 但是上述(B)成分系至少一种选自下述式(Ⅱ)、(Ⅲ) 表示之化合物, (上式中,m系0或1;X系1或2;R1系可以1或1以上之C1至C12 烷基取代之苯基、杂芳基,或m为0时之C2至C6烷氧基 羰基、苯氧基羰基、CN;R'1系C2至C12伸烷基;R2系与R1 同义;R3系C1至C18烷基;R'3系X=1时,与R3同义,X=2时为C2 至C12伸烷基、伸苯基;R4、R5系独立之氢原子、卤 素、C1至C6烷基;A系S、O、NR6;R6系氢原子、苯基); 下式(IV) (式中R6、R7系分别表示碳原子数1至3之烷基)表示 之双(三氯甲基)三化合物; 或该化合物(IV)与下式(V) (式中Z表示4-烷氧基苯基)表示之双(三氯甲基)三 化合物之组合物;及 有下述式(VI) (式中Ar系取代或未取代之苯基、基;R系C1至C9之 烷基;n表示2或3之整数)表示之化合物, 上述(C)成分系以下一般式(I): R-(OH)n (I) (式中R系自具有可含氧原子之直链基、分枝基或 环基的烷去除n个氢原子之基,n系2、3或4之整数)表 示之醇之部份或全部羟基以乙烯基醚化的化合物 。 2.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中上 述(B)成分系式: 所表之化合物。 3.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中上 述(C)成分系式: 所表之化合物。 4.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中更 含胺类作为(D)成分。 5.如申请专利范围第4项之正型光阻组成物,其中上 述(D)成分系三乙醇胺。 6.如申请专利范围第1至5项中任一项之正型光阻组 成物,其系用于i线曝光过程。 7.如申请专利范围第1至5项中任一项之正型光阻组 成物,其系用于NA在0.3以下之曝光过程。 8.如申请专利范围第1至5项中任一项之正型光阻组 成物,其系在一基板上形成积体电路及液晶显示部 份之制造LCD用。 9.一种形成光阻图像之方法,其特征为包含: (1)于基板上涂布如申请专利范围第1至5项中任一 项之正型光阻组成物,形成涂膜之过程, (2)烘烤上述经形成涂膜之基板,于基板上形成光阻 被膜之过程, (3)对上述光阻被膜,用描绘有2.0微米以下之光阻图 像形成用光罩图像,及超过2.0微米的光阻图像形成 用光罩图像二者之光罩作选择性曝光之过程, (4)对上述选择性曝光后之光阻被膜,施以曝光后烘 烤之过程, (5)对上述加热处理后之光阻被膜,用硷水溶液施以 显像处理,于上述基板上同时形成图像尺寸2.0微米 以下的积体电路用光阳图像,及超过2.0微米的液晶 显示部份用之光阻图像的过程以及 (6)洗去残留在上述光阻图像表面之显像液的淋洗 过程。 10.如申请专利范围第9项之形成光阻图像之方法, 其中上述(3)选择性曝光过程,系使用i线作为光源 。 11.如申请专利范围第9项的形成光阻图像之方法, 其中上述(3)选择性曝光过程,系NA在0.3以下之低NA 条件下的曝光过程。 图式简单说明: 第1图为评估低NA条件下之线性,涂布正型光阻组成 物于玻璃基板上,烘烤、图像曝光后,以具有隙缝 涂布器之显像装置将显像液自基板端部X至Z注液 之说明图。 |
