| 主权项 |
1.一种半导体装置,其包含有 一由多数线路层所构成之垫件;及 一电源供应环,其形成以包围一电路区域,该电路 区域中形成一内部电路以提供一电源供应,其经由 该用于电源供应之垫件提供至内部电路, 该用于电源供应之垫件及该电源供应环被设置于 该电源供应环上方及下方之通孔所连接。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该设在 该电源供应环下方以与该用于电源供应之垫件连 接之通孔系任意地设置于一区域中,当以一垂直于 一基板之方向观察时,该区域为该用于电源供应之 垫件及该电源供应环相互重叠之处。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该设在 该电源供应环下方以与该用于电源供应之垫件连 接之通孔通过一低于该电源供应环之线路层被连 接至该用于电源供应之垫件的一结合区。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该设在 该电源供应环上方以与该用于电源供应之垫件连 接之通孔被设置在一除了对应至该垫件的一探测 试验区之区域以外的区域中。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该用于 电源供应之垫件包括一探测试验区及一结合区,且 该设在该电源供应环上方以与该用于电源供应之 垫件连接之通孔被连接至该用于电源供应之垫件 的探测试验周围之一区域,且该设在该电源供应环 上方以与该用于电源供应之垫件连接之通孔通过 一低于该电源供应环的线路层被连接至该用于电 源供应之垫件的结合区。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该电源 供应环,当以一垂直于一基板之方向观察时,系部 分延伸于一与该用于电源供应之垫件重叠的区域 中,使得该重叠区域被加宽。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,该电 源供应环当以一垂直于一基板之方向观察时,于一 与该用于电源供应之垫件重叠之区域中的宽度,系 比该电源供应环于一不同于该重叠区之区域中的 宽度更宽。 8.如申请专利范围第7项之半导体装置,其中当以该 垂直于基板之方向观察时,只有在与该用于电源供 应之垫件重叠之区域中,除了该垫件的一探测试验 区以外,该电源供应环之宽度系比该电源供应环在 不同于该重叠区之区域中的宽度更宽。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该垫件 被置于一输入/输出电路上。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 该垫件系由m线路层(m系一等于或大于4的自然数) 所构成,且 该电源供应环系于一自该m线路层之顶侧起算第n 层线路层(n为等于或大于3且等于或小于(m-1))中被 形成,使得当以一垂直于一基板之方向观察时,其 与该用于电源供应之垫件交叉,且分别藉由该电源 供应环之上方及下方所设之通孔连接至该用于电 源供应之垫件之一第(n-1)层线路层及一第(n+1)层线 路层。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中只有 一绝缘膜存在于该用于电源供应之垫件的第(n-1) 层线路层及对应于该垫件之探测试验区的该电源 供应环之间。 12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该垫 件系被设置于一输入/输出电路上方。 13.一种半导体装置,其包含有: 一由多数线路层所构成的垫件;及 一电源供应环,其形成以包围一电路区域,该电路 区域中形成一内部电路以提供一电源供应,其经由 该用于电源供应之垫件提供至内部电路,其中 该电源供应环,当以一垂直于一基板之方向观察时 ,系部分延伸于一与该用于电源供应之垫件重叠的 区域中,使得该区域被加宽,且该用于电源供应之 垫件及该电源供应环被设于该区域中之通孔所连 接。 14.一种半导体装置,其包含有: 一由多数线路层所构成的垫件;及 一电源供应环,其形成以包围一电路区域,该电路 区域中形成一内部电路以提供一电源供应,其经由 该用于电源供应之垫件提供至内部电路,其中 该电源供应环当以一垂直于一基板之方向观察时, 于一与该用于电源供应之垫件重叠之区域中的宽 度,系比该电源供应环于一不同于该重叠区之区域 中的宽度更宽,且该用于电源供应之垫件及该电源 供应环被设于该重叠区中之通孔所连接。 15.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中当以 该垂直于基板之方向观察时,只有在与该用于电源 供应之垫件重叠之区域中,除了该垫件的一探测试 验区以外,该电源供应环之宽度系比该电源供应环 在不同于该重叠区之区域中的宽度更宽。 16.如申请专利范围第14项之半导体装置,其中该垫 件被置于一输入/输出电路上。 图式简单说明: 第1A图及第1B图系显示本发明实施例一半导体装置 之整体构形的一个范例的图; 第2A图至第2G图系显示于一第一实施例中一I/O上方 垫件之一范例的图; 第3A图至第3F图系显示于一第二实施例中一I/O上方 垫件之一范例的图; 第4A图至第4G图系显示于一第三实施例中一I/O上方 垫件之一范例的图;以及 第5A图至第5F图系用以解释一个在一使用该I/O上方 垫件之半导体装置中之问题的图。 |
