| 主权项 |
1.一种用于进行缺陷分析的方法,其包含: 向一电路施加一测试信号; 获得回应于该测试信号所产生之一信号; 将该回应信号与参考资讯进行比较; 基于该比较步骤之一结果来分类该电路中的一缺 陷;及 基于该缺陷分类来确认一制程中引起该缺陷之一 问题。 2.如请求项1之方法,其中该参考资讯包括可在该制 程期间发生之一缺陷类型的一信号轮廓。 3.如请求项2之方法,其进一步包含: 由来自对应于该缺陷类型之电路的先前测试所产 生之缺陷信号来形成该信号轮廓。 4.如请求项3之方法,其中该信号轮廓系来自该先前 测试之该等缺陷信号的一统计表示。 5.如请求项2之方法,其进一步包含: 计算一非缺陷性电路之信号値的一平均数;及 基于所计算之该平均値来形成该缺陷类型的信号 轮廓。 6.如请求项2之方法,其中该分类步骤包括: 决定在该回应信号属于该信号轮廓之条件下该电 路具有该缺陷类型。 7.如请求项1之方法,其进一步包含: 在一记忆体中储存连接复数个缺陷分类与个别复 数个制程问题之资讯,该确认步骤包括基于该连接 资讯来确认该制程问题。 8.如请求项1之方法,其进一步包含: 确认该制程内发生所分类之该缺陷之一区域。 9.如请求项1之方法,其进一步包含: 调整该制程以在其他电路制造期间避免该问题。 10.如请求项1之方法,其中该参考资讯包括对应于 可在该制程期间发生之不同缺陷类型之复数个信 号轮廓。 11.如请求项10之方法,其中该分类步骤包括: 决定与该回应信号紧密地匹配之一信号轮廓;及 决定该电路包括对应于该信号轮廓之缺陷。 12.如请求项11之方法,其中当该回应信号位于该信 号轮廓范围内时,决定该信号轮廓与该回应信号紧 密地匹配。 13.如请求项10之方法,其中该分类步骤包括: 决定该回应信号属于两信号轮廓; 决定该等两轮廓之一具有一较高的发生机率;及 决定该电路包括对应于具有较高发生机率之该轮 廓之缺陷。 14.如请求项13之方法,其进一步包含: 基于对该电路中一或多个其它缺陷类型之侦测之 一缺乏决定该等两轮廓中之另一轮廓具有一较低 的发生机率。 15.如请求项13之方法,其进一步包含: 基于对一或多个预定制程问题之侦测之一缺乏决 定该等两轮廓中的另一轮廓具有一较低的发生机 率。 16.如请求项10之方法,其中该等信号轮廓系包含于 个别信号带中,该等信号带包括分别对应于该等不 同缺陷类型之信号値的范围。 17.如请求项16之方法,其中该分类步骤包括: 决定一信号轮廓范围,其包括该回应信号;及 决定该电路包括该缺陷,其对应于包括该回应信号 之该信号轮廓范围。 18.如请求项17之方法,其中该分类步骤包括: 决定该回应信号位于两信号轮廓范围内;及 选择对应于具有一更大发生机率之该信号轮廓范 围之该缺陷。 19.如请求项18之方法,其中基于贝叶斯定律决定该 更大的发生机率。 20.如请求项16之方法,其进一步包含: 定位邻近信号轮廓之间之一交叉区域;及 调整对应于该等邻近轮廓的信号带间之一分界线 之一位置,使得该等邻近信号轮廓之错误分布系至 少实质上相等。 21.如请求项16之方法,其进一步包含: 基于该等信号带中所包含曲线之间之一交叉区域 来定位邻近信号带之间的一分界线。 22.一种用于进行缺陷分析之方法,其包含: 侦测来自一TFT阵列回应于一测试信号之一像素电 压输出; 将该像素电压与至少一缺陷信号进行比较; 基于该比较步骤之一结果来分类该阵列中的一缺 陷;及 基于该缺陷分类来确认引起该缺陷之一制程问题 。 23.如请求项22之方法,其中该缺陷信号对应于一预 先定义的缺陷类型。 24.如请求项23之方法,其进一步包含: 自先前的测试资料形成该缺陷信号。 25.如请求项23之方法,其中该缺陷信号包括位于一 信号带内对应于该预先定义的缺陷类型之一曲线 。 26.如请求项25之方法,其中该分类步骤包括决定该 像素电压是否属于该缺陷信号之该曲线内。 27.如请求项22之方法,其进一步包含: 将该像素电压与各对应于一不同的缺陷类型之复 数个缺陷信号进行比较,该分类步骤包括决定该像 素电压至少实质上与该等缺陷信号之至少一者匹 配。 28.如请求项27之方法,其进一步包含: 储存连接该等不同的缺陷类型与制程问题之资讯, 该确认步骤包括基于该连接资讯确认该制程问题 。 29.如请求项22之方法,其进一步包含: 确认该制程内发生所分类之该缺陷的一区域。 30.一种用于进行缺陷分析之系统,其包含: 一信号产生器,其向一电路施加一测试信号; 一侦测器,其获得回应于该测试信号所产生之一信 号;及 一处理器,其将该回应信号与参考资讯比较,基于 该比较之一结果来分类该电路中的一缺陷,及基于 该缺陷分类来确认一制程中引起该缺陷之一问题 。 31.如请求项30之系统,其中该参考资讯包括可在该 制程期间发生之一缺陷类型的一信号轮廓。 32.如请求项31之系统,其中基于先前的测试资料产 生该信号轮廓。 33.如请求项32之系统,其中该信号轮廓系来自该先 前测试之该等缺陷信号之一统计表示。 34.如请求项31之系统,其中该处理器藉由决定该回 应信号是否属于该信号轮廓内来分类该缺陷。 35.如请求项30之系统,其进一步包含: 一记忆体,其储存连接复数个缺陷分类与个别复数 个制程问题之资讯,该处理器基于该连接资讯来确 认该制程问题。 36.如请求项30之系统,其中该处理器确认该制程内 发生所分类之该缺陷的一区域。 图式简单说明: 图1(a)系显示一薄膜电晶体阵列之一部分及TFT阵列 中两种类型的闸极至共同线路之短路缺陷之一图 式,该电晶体阵列包括用于控制一平板LCD显示萤幕 中四个对应像素位置处之照明度之元件,及图1(b) 系显示图1(a)之TFT阵列之不同制程步骤中之像素布 局之一图式。 图2系显示图1之薄膜电晶体阵列之每一交叉点处 之元件之一等效电路之图式。 图3系依据本发明之一具体实施例显示用于侦测一 TFT阵列之一闸极线路与共同线路之间存在短路之 方法中所包含之步骤之图式。 图4(a)与4(b)系依据本发明显示可应用于TFT阵列用 于侦测闸极与共同线路之间之短路之范例性测试 信号图案之曲线图。 图5系显示当存在一闸极至自身共同短路时沿一闸 极线路所产生对应于图4(a)之测试信号图案之信号 电压(包括正的像素电压Vp)之轮廓之图式。依据本 发明此轮廓可提供用于定位TFT阵列中之缺陷之一 基础。 图6系显示当存在一闸极至自身共同短路时沿一闸 极线路所产生对应于图4(b)之测试信号图案之信号 电压(包括负的像素电压Vp)之轮廓之图式。依据本 发明此轮廓可提供用于定位TFT阵列中之缺陷之另 一基础。 图7系显示自图5与6中之正的与负的像素电压所产 生之信号电压之一轮廓之图式。依据本发明此轮 廓可用作侦测TFT阵列中之缺陷之另一基础。 图8系显示当存在一闸极至邻近共同短路时沿一闸 极线路所产生对应于图4(a)之测试信号图案之信号 电压(包括正的像素电压Vp)之轮廓之图式。依据本 发明此轮廓可提供用于定位TFT阵列中之缺陷之一 基础。 图9系显示当存在一闸极至邻近共同短路时沿一闸 极线路所产生对应于图4(b)之测试信号图案之信号 电压(包括负的像素电压Vp)之轮廓之图式。依据本 发明此轮廓可提供用于定位TFT阵列中之缺陷之另 一基础。 图10系显示自图8与9中之正的与负的像素电压所产 生之信号电压之一轮廓之图式。依据本发明此轮 廓可用作侦测TFT阵列中之缺陷之另一基础。 图11依据本发明之一具体实施例显示用于侦测一 TFT阵列中之缺陷之一测试器。 图12系显示一方法之一具体实施例中所包含用于 在一产品缺陷分析期间分类缺陷并确认对应的制 程问题之步骤之流程图。 图13显示可依据本发明使用之一类型的缺陷直方 图,其中使用缺陷d1-d2与dn之缺陷信号之一理想分 布来获得该直方图且其中Vd1、Vd2与Vdn系d1、d2与dn 之个别信号带中之代表缺陷信号。 图14显示在缺陷d1、d2与dn之实际测量条件下获得 的另一类型的缺陷直方图,其中Vd1、Vd2与Vdn对应于 d1、d2与dn之个别信号带中之代表缺陷信号。 图15系显示一显示面板中所使用可依据本发明之 方法进行测试之一TFT阵列之一部分之图式。 图16系显示用于制造图15所示TFT阵列之制程中所包 含之步骤之一流程图。 |
