| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底; 于该基底上形成一复合介电层,该复合介电层包括 一底介电层、一电荷陷入层与一顶介电层; 于该复合介电层上形成一牺牲层; 于该牺牲层上形成一罩幕层; 图案化该罩幕层,以形成暴露该牺牲层之多数个第 一开口; 移除该些第一开口所暴露之部分该牺牲层; 于该些第一开口中形成多数个第一闸极,该些第一 闸极与该些第一闸极下方之该复合介电层构成多 数个第一记忆胞; 移除该罩幕层,以于该些第一闸极之间形成多数个 第二开口; 于该些第一闸极的顶部及侧壁形成一绝缘层; 移除该些第二开口所暴露之部分该牺牲层; 于该些第二开口中形成多数个第二闸极,该些第二 闸极与该些第二闸极下方之该复合介电层构成多 数个第二记忆胞,该些第二记忆胞与该些第一记忆 胞构成一记忆胞串列;以及 于该记忆胞串列两侧之该基底中各自形成一源极/ 汲极区。 2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该些第一开口中形成该些第一闸 极的步骤包括: 于该基底上形成一第一导体层;以及 移除该些第一开口以外之部分该第一导体层,以暴 露出该罩幕层。 3.如申请专利范围第2项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该第一导体层之材质包括掺杂多晶 矽。 4.如申请专利范围第3项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除该些第一开口以外之部分该第 一导体层的方法包括化学机械研磨法。 5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该牺牲层之材质包括氮化矽。 6.如申请专利范围第5项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中移除该些第一开口所暴露之部分该 牺牲层之的步骤及移除该些第二开口所暴露之部 分该牺牲层的步骤包括进行一湿式蚀刻制程。 7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中在该湿式蚀刻制程包括使用磷酸作 为蚀刻剂。 8.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该罩幕层之材质与该牺牲层之材质 具有不同的蚀刻选择性,且该牺牲层亦与该顶介电 层具有不同的蚀刻选择性。 9.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该罩幕层之材质包括氧化矽。 10.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该些第二开口中形成该些第二闸 极的步骤包括: 于该基底上形成一第二导体层;以及 移除该些第二开口以外之部分该第二导体层,以暴 露出于该些第一闸极的顶部的该绝缘层。 11.如申请专利范围第10项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第二导体层之材质包括掺杂多 晶矽。 12.如申请专利范围第11项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除该些第二开口以外之部分该 第二导体层的方法包括化学机械研磨法。 13.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中于该些第一闸极的顶部及侧壁形成 该绝缘层之方法包括热氧化法。 14.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该底介电层与该顶介电层之材质包 括氧化矽。 15.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的 制造方法,其中该电荷陷入层之材质包括氮化矽。 16.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括: 提供一基底; 于该基底上形成一复合介电层,该复合介电层包括 一底介电层、一电荷陷入层与一顶介电层; 于该复合介电层上形成一罩幕层; 图案化该罩幕层,以形成暴露该复合介电层之多数 个第一开口; 于该些第一开口中形成多数个第一闸极,该些第一 闸极与该些第一闸极下方之该复合介电层构成多 数个第一记忆胞; 移除该罩幕层,以于该些第一闸极之间形成多数个 第二开口; 于该些第一闸极的顶部及侧壁形成一绝缘层; 于该些第二开口中形成多数个第二闸极,该些第二 闸极与该些第二闸极下方之该复合介电层构成多 数个第二记忆胞,该些第二记忆胞与该些第一记忆 胞构成一记忆胞串列;以及 于该记忆胞串列两侧之该基底中各自形成一源极/ 汲极区。 17.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该些第一开口中形成该些第一 闸极的步骤包括: 于该基底上形成一第一导体层;以及 移除该些第一开口以外之部分该第一导体层,以暴 露出该罩幕层。 18.如申请专利范围第17项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第一导体层之材质包括掺杂多 晶矽。 19.如申请专利范围第18项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除该些第一开口以外之部分该 第一导体层的方法包括化学机械研磨法。 20.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该些第二开口中形成该些第二 闸极的步骤包括: 于该基底上形成一第二导体层,该第二导体层之材 质包括多晶矽;以及 移除该些第二开口以外之部分该第二导体层,以暴 露出于该些第一闸极的顶部的该绝缘层。 21.如申请专利范围第20项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该第二导体层之材质包括掺杂多 晶矽。 22.如申请专利范围第21项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中移除该些第二开口以外之部分该 第二导体层的方法包括化学机械研磨法。 23.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中于该些第一闸极的顶部及侧壁形 成该绝缘层之方法包括热氧化法。 24.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该底介电层与该顶介电层之材质 包括氧化矽。 25.如申请专利范围第16项所述之非挥发性记忆体 的制造方法,其中该电荷陷入层之材质包括氮化矽 。 图式简单说明: 图1所绘示为一种非挥发性记忆体的结构剖面图。 图2A至图2G所绘示为依照本发明一较佳实施例之一 种非挥发性记忆体的制造流程剖面图。 |
