| 主权项 |
1.一种监测离子布植机之离子束强度的方法,包括 下列步骤: (a)提供一离子布植机及一标准强度曲线,其中该离 子布植机包括一离子源、一夹持复数个晶圆之夹 持部及一侦测器; (b)执行一离子布植程序且运用该侦测器量测该离 子源发射之离子束的强度,其中该离子布植程序包 括复数个该夹持部之位移循环,使该离子束于该等 晶圆之表面往覆扫瞄; (c)纪录在每一位移循环中,该离子束于该夹持部之 每一位移位置的强度数値,分别形成一量测强度曲 线;以及 (d)分别计算每一该等量测强度曲线相较于该标准 强度曲线于该夹持部之每一位移位置的偏移値; 其中,该夹持部之每一位移位置之偏移値系由该位 移位置之量测强度曲线与该标准强度曲线之间的 差値除以该位移位置之标准强度曲线的数値而得, 从而能不受限于扫瞄中该离子束在不同位置被该 等晶圆屏挡之比例关系,达到即时监测该离子布植 机之离子束强度及稳定性之功能。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该侦测器 系为一法拉第杯。 3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该标准强 度曲线系为该离子布植机之特征曲线,且由该离子 布植机先前之复数个离子布植程序中归纳而出。 4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该标准强 度曲线系为该离子源之强度之全値与一位移系数 之乘积。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该量测强 度曲线于该夹持部之一位移位置之位置数値系由 一移动平均法计算。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该移动平 均法系将该位移位置及之前二个或更多个位移位 置之位置数値平均。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该量测强 度曲线于该夹持部之一位移位置之离子束强度数 値系运用一移动平均法计算。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该移动平 均法系将该位移位置及之前二个或更多个位移位 置之离子束强度数値平均。 9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中当该偏移 値高于一预设之临界値时,该离子布植机发出一警 告讯号。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中当在该 夹持部之一位移循环中,该离子布植机所发出之警 告讯号的次数大于一预设値时,该离子布植机发出 一指示讯号。 11.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该量测 强度曲线除以该位移系数,形成一校正强度曲线。 12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等位 移循环划分为复数个子位移区间。 图式简单说明: 图1系习知之离子布植机立体示意图。 图2系本发明一较佳实施例之监测离子布植机之离 子束强度方法的流程图。 图3A系图2之监测离子布植机之离子束强度方法所 运用之离子布植机的示意图。 图3B系本发明一较佳实施例之监测离子布植机之 离子束强度方法所运用之标准强度曲线示意图。 图4A系本发明一较佳实施例之监测离子布植机之 离子束强度方法所得到正常之量测强度曲线的示 意图。 图4B系本发明一较佳实施例之监测离子布植机之 离子束强度方法所得到异常之量测强度曲线的示 意图。 |
