发明名称 双光束半导体雷射装置
摘要 本发明旨在提供一种双光束半导体雷射装置10,包括:双光束半导体雷射元件LDC,在基板上将可独立驱动之第一、第二半导体雷射元件LD1、LD2设置成一体;及副机座,具有第一、第二电极基座64、65,在前部安装使射出侧朝向前方之双光束半导体雷射元件LDC,而且连接成各自和第一、第二半导体雷射元件LD1、LD2之电极61、62接触;其特征在于:向双光束半导体雷射元件LDC之后方延伸形成第一、第二电极基座64、65,在双光束半导体雷射元件LDC之后方焊线线14、16。
申请公布号 TWI256757 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW093130853 申请日期 2004.10.12
申请人 三洋电机股份有限公司;鸟取三洋电机股份有限公司 发明人 渡部泰弘;上山孝二;秋吉新一郎
分类号 H01S5/024 主分类号 H01S5/024
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种双光束半导体雷射装置,包括: 双光束半导体雷射元件,在基板上将可独立驱动之 第一、第二半导体雷射元件设置成一体;及 副机座,具有第一、第二电极基座,在前部安装使 射出侧朝向前方之该双光束半导体雷射元件,而且 连接成各自和第一、第二半导体雷射元件之电极 接触; 其特征在于: 向该双光束半导体雷射元件之后方延伸形成第一 、第二电极基座,在该双光束半导体雷射元件之后 方焊线。 2.如申请专利范围第1项之双光束半导体雷射装置, 其中,在该副机座之后端对第一、第二电极基座焊 线。 3.如申请专利范围第1或2项之双光束半导体雷射装 置,其中,将自该双光束半导体雷射元件之后端至 对第一、第二电极基座焊线之位置为止之距离设 为300m以下。 4.如申请专利范围第1或2项之双光束半导体雷射装 置,其中,将该副机座之横宽设为400m以上700m以 下。 5.如申请专利范围第1或2项之双光束半导体雷射装 置,其中,将该副机座组装于由机架及树脂构成之 封装。 6.如申请专利范围第5项之双光束半导体雷射装置, 其中,设为具有个端子之3端子型。 图式简单说明: 图1系表示本发明之实施例之双光束半导体雷射装 置之双光束半导体雷射元件之立体图。 图2系表示本发明之实施例之双光束半导体雷射装 置之双光束半导体雷射元件之平面图。 图3系表示本发明之实施例之双光束半导体雷射装 置之立体图。 图4系表示本发明之实施例之双光束半导体雷射装 置之正视图。 图5系沿着图4之X-X'线之剖面图。 图6系表示以往之双光束半导体雷射元件之正视图 。 图7系表示以往之双光束半导体雷射元件之立体图 。 图8系表示以往之半导体雷射装置之立体图。 图9系图8之半导体雷射装置之平面图。 图10系沿着图9之X-X'线之剖面图。
地址 日本
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