| 主权项 |
1.一种奈米碳管阵列结构,其包括复数同方向排列 之奈米碳管,其改进在于奈米碳管上至少形成有一 标记线。 2.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管阵列结构, 其中,该标记线形成竹节型标记。 3.如申请专利范围第1项所述之奈米碳管阵列结构, 其中,该套米碳管还包括一基底,奈米碳管垂直排 列在基底之一表面上。 4.如申请专利范围第3项所述之奈米碳管阵列结构, 其特征在于该基底材质包括矽或二氧化矽。 5.一种奈米碳管阵列结构之制备方法,其包括下列 步骤: 提供一基底; 在基底之一表面上形成一催化剂层; 将基底加热至一定温度; 间歇性供应碳源气,以生长奈米碳管。 6.如申请专利范围第5项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,间歇性供应碳源气系指供应碳 源气一预定时间后,中断碳源气之供应,再经另一 预定时间后,重新供应碳源气。 7.如申请专利范围第6项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,每次供应碳源气之持续时间为1- 5分钟。 8.如申请专利范围第6项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,每次中断碳源气之持续时间为10 -30秒。 9.如申请专利范围第6项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,藉由于基底附近供给一干扰气 体而中断碳源气之供应。 10.如申请专利范围第9项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,干扰气体为还原性气体或惰性 气体。 11.如申请专利范围第9项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,干扰性气体包括氩气、氮气及 氢气。 12.如申请专利范围第6项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,藉由关闭碳源气而中断基底附 近碳源气之供应。 13.如申请专利范围第12项所述之奈米碳管阵列结 构之制备方法,其中,关闭碳源气之同时供给干扰 气体,以驱散剩余碳源气。 14.如申请专利范围第5项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,催化剂层被分割成多个小区块, 每一区块间具有一定间距。 15.如申请专利范围第5项所述之奈米碳管阵列结构 之制备方法,其中,供应碳源气之前,将催化剂层在 200-400℃温度下退火。 图式简单说明: 第一图系本发明实施方式奈米碳管阵列结构示意 图; 第二图系上述奈米碳管阵列结构之扫描电子显微 镜(Scanning Electron Microscope, SEM)照片; 第三图系本发明奈米碳管阵列结构制备中使用之 装置示意图; 第四图系本发明第一实施方式测量奈米碳管生长 速度之方法示意图; 第五图系本发明第二实施方式测量奈米碳管生长 速度之方法示意图。 |
