发明名称 高分子化合物、化学增强之光阻材料及图型之形成方法
摘要 本发明系有关一种高分子化合物,其特征为,含有具下列一般式(1)所示重覆单位的主链氟化之聚苯乙烯衍生物(式中,R1为氢原子,氟原子,碳数1至20之直链状,支链状或环状之烷基或氟化之烷基;R2为氟原子,碳数1至20之直链状,支链状或环状之烷基或氟化烷基;R3为碳数6至20之芳基,又,可键结羟基及/或受OR4基(R4为酸不安定基)取代之羟基)。本发明之光阻材料对高能量线具感应性,且对200 nm以下,特别是170nm以下之波长具优良灵敏度,解像性及耐等离子蚀刻性。又,本发明之光阻材料除了前述特性外,特别是对F2激元激光之曝光波长的吸收量较小,因此易形成细微且垂直于基板之图型,故适用为超LSI制造用之细微图型形成材料。
申请公布号 TWI256409 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW089121350 申请日期 2000.10.12
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 山润;原田裕次;渡边淳;中岛睦雄
分类号 C08L83/07 主分类号 C08L83/07
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种使用于光阻之重量平均分子量1,000-1,000,000 、分散度为1.0-3.0之高分子化合物,其特征为,含有 具下列一般式(1)之重覆单位的主链氟化之苯乙烯 衍生物: (式中,R1为氢原子、氟原子、碳数1至20之直链状、 支链状或环状之烷基或氟化烷基;R2为氟原子、碳 数1至20之直链状、支链状或环状之烷基或氟化烷 基;R3为碳数6至20之芳基,又,可键结羟基及/或受OR4 基(R4为下式(3)、(4)或(5)所示酸不安定基)取代之羟 基) 其中,式(3)为tert-丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲 基、tert-戊氧基羰基、tert-戊氧基羰基甲基、1-乙 氧基乙氧基羰基甲基、2-四氢喃基羟基羰基甲 基、或2-四氢喃基羟基羰基甲基; 式(4)为1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-n-丙氧基 乙基、1-异丙氧基乙基、1-n-丁氧基乙基、1-异丁 氧基乙基、1-sec-丁氧基乙基、1-tert-丁氧基乙基、 1-tert-戊氧基乙基、1-乙氧基-n-丙基、1-环己基乙 基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基- 乙基、1-乙氧基-1-甲基-乙基、四氢喃基或四氢 喃基; 式(5)为tert-丁基、三乙基二价碳基、1-乙基降茨基 、1-甲基环己基、1-乙基环戊基、2-(2-甲基)金刚烷 基、2-(2-乙基)金刚烷基或tert-戊烷基。 2.一种使用于光阻之重量平均分子量1,000-1,000,000 、分散度为1.0-3.0之高分子化合物,其特征为,含有 下列一般式(2)所示之重覆单位: (式中,R4为下式(3)、(4)或(5)所示酸不安定基;0≦o<5, 0<p≦5,0≦q<5,0≦r≦5,0≦s≦5,0≦t≦5,且0<o+q<5,0≦s+t ≦5,0<k<1,0≦m<1,0≦n<1) 其中,式(3)为tert-丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲 基、tert-戊氧基羰基、tert-戊氧基羰基甲基、1-乙 氧基乙氧基羰基甲基、2-四氢喃基羟基羰基甲 基、或2-四氢喃基羟基羰基甲基; 式(4)为1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-n-丙氧基 乙基、1-异丙氧基乙基、1-n-丁氧基乙基、1-异丁 氧基乙基、1-sec-丁氧基乙基、1-tert-丁氧基乙基、 1-tert-戊氧基乙基、1-乙氧基-n-丙基、1-环己基乙 基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基- 乙基、1-乙氧基-1-甲基-乙基、四氢喃基或四氢 喃基; 式(5)为tert-丁基、三乙基二价碳基、1-乙基降茨基 、1-甲基环己基、1-乙基环戊基、2-(2-甲基)金刚烷 基、2-(2-乙基)金刚烷基或tert-戊烷基。 3.一种光阻材料,其特征为,含有如申请专利范围第 1或2项之高分子化合物。 4.一种化学增强之正型光阻材料,其特征为,含有 (A)如申请专利范围第1或2项之高分子化合物, (B)有机溶剂, (C)产酸剂。 5.一种化学增强之负型光阻材料,其特征为,含有 (A)如申请专利范围第1或2项之高分子化合物, (B)有机溶剂, (C)产酸剂, (D)交联剂。 6.如申请专利范围第3,4或5项之光阻材料,其尚含有 硷性化合物。 7.如申请专利范围第3或5项之光阻材料,其尚含有 溶解阻止剂。 8.一种图型形成方法,其特征为包含 (1)将如申请专利范围第4至7项中任何一项之光阻 材料涂布于基板上之步骤, (2)于加热处理后,介有光罩膜下以波长300nm以下之 高能量射线或电子线进行曝光之步骤, (3)于必要时之加热处理后,利用显像液进行显像之 步骤。
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