发明名称 利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
摘要 一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法。此方法包括将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液,然后将基底置于蚀刻溶液中,使蚀刻溶液以一适当流速流经基底上之绝缘层以进行蚀刻,此绝缘层具有多个沟渠。
申请公布号 TWI256687 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW090132944 申请日期 2001.12.28
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 蔡文彬;张庆裕;吴俊沛;陈辉煌;潘正圣
分类号 H01L21/306 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方 法,可应用于一基底上,该基底上具有一绝缘层,该 绝缘层具有复数个沟渠,该方法包括: 将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液;以 及 将该基底置于该蚀刻溶液中,使该蚀刻溶液以一适 当流速流经该绝缘层以进行蚀刻,使该蚀刻溶液对 于具有一平坦表面之一绝缘层的蚀刻速率为50-80 埃/分钟。 2.如申请专利范围第1项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸的浓度约为 98重量百分比。 3.如申请专利范围第1项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该磷酸的浓度约为 85重量百分比。 4.如申请专利范围第1项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该氢氟酸的浓度约 为1重量百分比。 5.如申请专利范围第1项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸与该磷酸的 总体积为该氢氟酸体积的50至100倍。 6.如申请专利范围第1项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该绝缘层为一氧化 矽层。 7.一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方 法,可应用于一基底上,该基底上具有一第一绝缘 层,该第一绝缘层具有复数个大沟渠与复数个小沟 渠,该方法至少包括: 形成共形之一第二绝缘层于该第一绝缘层上,该第 二绝缘层之厚度和该些大沟渠与该些小沟渠之深 度约略相等; 图案化该第二绝缘层以形成复数个突起于该些大 沟渠中,该些突起彼此之间的距离和该些小沟渠的 宽度约略相等; 将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液;以 及 将该基底置于该蚀刻溶液中,使该蚀刻溶液以一适 当流速流经该第一绝缘层与该第二绝缘层之表面 以进行蚀刻,使该蚀刻溶液对于具有一平坦表面之 一绝缘层的蚀刻速率为50-80埃/分钟。 8.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸的浓度约为 97重量百分比。 9.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该磷酸的浓度约为 75重量百分比。 10.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该氢氟酸的浓度约 为1重量百分比。 11.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸与该磷酸的 总体积为该氢氟酸体积的50至100倍。 12.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该第二绝缘层为一 氧化矽层。 13.如申请专利范围第7项所述之利用非等向性湿蚀 刻法来进行平坦化的方法,其中该第二绝缘层为一 氧化矽层。 14.一种利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方 法,可应用于一基底上,该基底上具有一绝缘层,该 绝缘层具有复数个大沟渠与复数个小沟渠,该方法 至少包括: 形成复数个突起于该些大沟渠中,该些突起彼此之 间的距离和该些小沟渠的宽度约略相等,该些突起 的高度和该些大沟渠与该些小沟渠之深度约略相 等; 将硫酸、磷酸、氢氟酸与水混合成一蚀刻溶液;以 及 将该基底置于该蚀刻溶液中,使该蚀刻溶液以一适 当流速流经该绝缘层之表面以进行蚀刻,使该蚀刻 溶液对于具有一平坦表面之一绝缘层的蚀刻速率 为50-80埃/分钟。 15.如申请专利范围第14项所述之利用非等向性湿 蚀刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸的浓度约 为97重量百分比。 16.如申请专利范围第14项所述之利用非等向性湿 蚀刻法来进行平坦化的方法,其中该磷酸的浓度约 为75重量百分比。 17.如申请专利范围第14项所述之利用非等向性湿 蚀刻法来进行平坦化的方法,其中该氢氟酸的浓度 约为1重量百分比。 18.如申请专利范围第14项所述之利用非等向性湿 蚀刻法来进行平坦化的方法,其中该硫酸与该磷酸 的总体积为该氢氟酸体积的50至100倍。 图式简单说明: 第1图是液体流经表面高低不平之表面时的示意图 ; 第2A-2B图是依照本发明一较佳实施例的一种利用 非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的流程剖面图;以 及 第3A-3B图是依照本发明另一较佳实施例的一种利 用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的流程剖面图 。
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