光半导体基板

摘要

本发明之光半导体用基板具备：绝缘性陶瓷基板；和金属层，其系设置于上述绝缘性陶瓷基板上；和焊料层，其系设置于上述金属层上，为Sn单体或含有50重量%以上的锡(Sn)，而剩余部分实质上是由金(Au)所构成；和保护层，其系设置于上述焊料层上，由厚度0.01μm以上、1μm以下之金(Au)或银(Ag)所构成。藉由使用此种光半导体用基板，在将容易因微小的应力而产生结晶缺陷的光半导体接合时、或于之后使用时，可将施加于光半导体的应力极力地减少，且可抑制结晶缺陷的产生而延长寿命。

主权项

1.一种光半导体用基板,其特征为具备: 绝缘性陶瓷基板;和 金属层,其系设置于上述绝缘性陶瓷基板上;和 焊料层,其系设置于上述金属层上,为锡(Sn)单体或 含有50重量%以上的锡(Sn),而剩余部分实质上是由 金(Au)所构成;和 保护层,其系设置于上述焊料层上,由厚度0.01m以 上、1m以下之金(Au)或银(Ag)所构成。 2.如申请专利范围第1项之光半导体用基板,其中, 上述焊料层的厚度是2m以上、5m以下。 3.如申请专利范围第1项之光半导体用基板,其中, 上述绝缘性陶瓷基板是由氮化铝、氮化矽、碳化 矽、氧化铍及钻石中选择1种作为主成分的构成。 4.如申请专利范围第3项之光半导体用基板,其中, 上述绝缘性陶瓷基板的热传导率是80W/mk以上。 图式简单说明: 第1图是表示一般半导体雷射元件的一例之剖面图 。 第2图是表示一般半导体雷射元件的电流-光输出 特性之关系图。 第3图是表示本发明之半导体雷射元件的一例之剖 面图。