| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为: 半导体装置的构造系包括: 半导体基板,其表面形成有半导体元件;和 硬质膜,其覆盖该半导体基板侧面的一部分或全部 ,且具有分别与上述半导体基板的表背面大致位于 同一平面的表背面, 并且,半导体基板上覆盖有上述硬质膜的侧面,是 以垂直或大致垂直于上述半导体基板表面之方式 进行加工, 于硬质膜形成贯通孔,并且于该贯通孔内形成有贯 通电极,而该贯通电极具有分别与上述硬质膜的表 背面大致位于同一平面的表背面。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,半导体基板系为矽基板。 3.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,硬质膜系为氧化矽膜或氮化矽膜。 4.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置,其中 ,贯通电极系由高熔点金属形成者。 5.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备下列 步骤: (a)在形成有半导体元件之半导体基板上,于未形成 上述半导体元件的区域上,形成垂直于上述半导体 基板表面的凹部,和 (b)在该凹部埋入硬质膜后,在硬质膜形成贯通孔, 并且藉由在该贯通孔埋入导电材料,以形成贯通电 极,和 (c)使支承基板黏合于含有上述凹部之上述半导体 基板表面,从背面侧使上述半导体基板后退,直到 上述硬质膜的背面露出为止,和 (d)藉由切断上述硬质膜,以分割上述半导体基板。 图式简单说明: 第1图是表示本发明半导体装置之实施型态的俯视 图及剖视图。 第2图是表示本发明半导体装置之制造方法的制造 步骤剖视图。 第3图是表示本发明其他半导体装置之制造方法的 制造步骤剖视图。 第4图是表示习知半导体装置之制造步骤的剖视图 。 第5图是表示接续第4图之制造步骤的剖视图。 第6图是表示习知其他半导体装置之制造步骤的剖 视图。 |
