发明名称 研磨加工板
摘要 本发明提供一种研磨加工板,不仅能使制造成本降低,也能有效率地研磨加工由DLC、SiC、SiN、Si等高硬度材料所形成的被加工物之表面,同时能够将其加工得极为平滑。本发明的研磨加工板1系用以与被研磨加工物滑接而进行研磨,其特征为:至少由基材与研磨材所构成,而该研磨材系于该基材2之和被加工物滑接的表面上所堆积的气相合成多结晶钻石薄膜3。
申请公布号 TWI256333 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW091109189 申请日期 2002.05.02
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 野口仁
分类号 B24D3/02;B24D18/00;C23C16/00 主分类号 B24D3/02
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 1.一种研磨加工板,用以与被研磨加工物滑接而进 行研磨,其特征为: 该研磨加工板至少由基材与研磨材所构成,而该研 磨材系于该基材之和被加工物滑接的表面上所堆 积的气相合成多结晶钻石薄膜,其中 该基材系圆板型之矽晶圆,或是于该圆板型之矽晶 圆上形成V形刻痕或定位平边之形状者。 2.如申请专利范围第1项之研磨加工板,其中: 该研磨材之气相合成多结晶钻石薄膜的表面粗糙 度Ra为0.1-500nm。 3.如申请专利范围第1或2项之研磨加工板,其中: 该研磨材之气相合成多结晶钻石薄膜的厚度为0.5 m-100m。 4.如申请专利范围第1或2项之研磨加工板,其中: 该基材系为至少在与该被加工物滑接的表面上,形 成有沟渠图案者。 5.如申请专利范围第4项之研磨加工板,其中: 该沟渠图案具有5m以上之深度。 图式简单说明: 图1系关于本发明研磨加工板一例的概略图。 图2系显示于基材表面所形成的沟渠图案一例的图 形。 图3系显示于基材表面所形成的沟渠图案其他例子 的图形。 图4系用以于基材(晶圆)表面堆积堆积气相合成多 结晶钻石薄膜之微波CVD装置的概略图。
地址 日本