| 主权项 |
1.一种设计图案校正方法,其系考虑于半导体积体 电路之层(# layer #)间之处理界限而校正设计图案 之方法,且包含: 基于第1设计图案算出对应于第1层之完成图案形 状(# processed pattern shape #)之第1图案形状; 基于第2设计图案算出对应于第2层之完成图案形 状之第2图案形状; 藉由上述第1图案形状与第2图案形状之布林运算(# Boolean operation #)处理而算出第3图案形状; 判定自上述第3图案形状所获得之评价値是否满足 特定値;及 于判定上述评价値未满足特定値时,校正上述第1 及第2设计图案之至少一方。 2.如请求项1之方法,其中 上述第1图案形状可自光罩图案算出,该光罩图案 系藉由对于上述第1设计图案实施包含光学近接效 应校正(# optical proximity correction #)之重定尺寸处理 而获得。 3.如请求项1之方法,其中 上述第2图案形状可自光罩图案算出,该光罩图案 系藉由对于上述第2设计图案实施包含光学近接效 应校正之重定尺寸处理而获得。 4.如请求项1之方法,其中 上述布林运算处理系于将上述第1及第2图案形状 之至少一方移动或重定尺寸之后实行。 5.如请求项1之方法,其中 上述布林运算处理系考虑上述第1层与上述第2层 之间之对准误差(# alignment error #)而实行。 6.如请求项1之方法,其中 上述布林运算处理系考虑上述第1层与上述第2层 之间之对准误差量之概率分布而实行。 7.如请求项1之方法,其中 上述布林运算处理包含AND运算处理及NOT运算处理 之至少一方。 8.如请求项1之方法,其中 上述评价値包含上述第3图案形状之面积、外周线 长度及图案宽度之至少一个。 9.如请求项1之方法,其中 上述第1及第2图案形状之至少一方系考虑特定处 理条件而算出; 上述特定处理条件包含曝光装置之照明光波长、 曝光装置之透镜之数値孔径(# numerical aperture #)、 曝光装置之照明形状(# illumination shape #),曝光装置 之焦点位置,曝光装置之透镜之像差(# aberration #), 曝光装置之晶圆上之曝光量,对准误差量,光罩尺 寸及光阻所包含之酸之扩散长度(# diffusion length #) 之至少一个。 10.如请求项1之方法,其中 上述第1层及第2层分别对应于闸极层、配线(# interconnect #)层、接触层、扩散(# diffusion #)层、离 子布植(# ion implantation #)层及井(# well #)层之一个 。 11.如请求项1之方法,其中 将自算出上述第1图案形状直至校正上述第1及第2 设计图案之至少一方为止反覆实行,直至上述评价 値满足特定値为止。 12.一种光罩制造方法,其包含将基于藉由请求项1 之方法所校正之设计图案的光罩图案形成于光罩 基板上。 13.一种半导体装置之制造方法,其包含将藉由请求 项12之方法所获得之上述光罩图案投影于晶圆上 之光阻之步骤。 14.一种光罩图案之制作方法,其系考虑于半导体积 体电路之层间之处理界限而制作光罩图案之方法, 且包含: 对于第1层之第1设计图案实行至少一次重定尺寸 处理而制作第1光罩图案; 对于第2层之第2设计图案实行至少一次重定尺寸 处理而制作第2光罩图案; 基于上述第1光罩图案而算出对应于上述第1层之 完成图案形状之第1图案形状; 基于上述第2光罩图案而算出对应于上述第2层之 完成图案形状之第2图案形状; 藉由上述第1图案形状与第2图案形状之布林运算 处理算出第3图案形状; 判定自上述第3图案形状所获得之评价値是否满足 特定値;及 于判定为上述评价値未满足特定値时,修正上述第 1及第2光罩图案之至少一方。 15.一种设计图案之校正系统,其系考虑于半导体积 体电路之层间之处理界限而校正设计图案之系统, 且包含: 基于第1设计图案而算出对应于第1层之完成图案 形状之第1图案形状之机构; 基于第2设计图案而算出对应于第2层之完成图案 形状之第2图案形状之机构; 藉由上述第1图案形状与第2图案形状之布林运算 处理而算出第3图案形状之机构; 判定自上述第3图案形状所获得之评价値是否满足 特定値之机构;及 于判定为上述评价値未满足特定値时,校正上述第 1及第2设计图案之至少一方之机构。 16.一种记录媒体,其系储存有适用于考虑于半导体 积体电路之层间之处理界限而校正设计图案之方 法的程式命令的电脑可读取之记录媒体,且 上述程式命令系使电脑执行; 基于第1设计图案而算出对应于第1层之完成图案 形状之第1图案形状; 基于第2设计图案而算出对应于第2层之完成图案 形状之第2图案形状; 藉由上述第1图案形状与第2图案形状之布林运算 处理而算出第3图案形状; 判定自上述第3图案形状所获得之评价値是否满足 特定値;及 于判定为上述评价値未满足特定値时,校正上述第 1及第2设计图案之至少一方。 图式简单说明: 图1系表示单一层之情形时之完成图案形状之图。 图2系表示复数层之情形时之完成图案形状之图。 图3系表示考虑有复数层间之对准误差(# alignment error #)之完成图案形状之图。 图4A及图4B系关于接触层(# layer #)、闸极层及扩散 层之说明图。 图5A、图5B及图5C系表示金属配线及通孔配置之一 例之图。 图6系表示组合有P&R工具、OPC工具、微影验证工具 及紧密工具之设计布局系统之一例之图。 图7系表示对于复数层之验证处理的流程之图。 图8(1)~(10)系表示对于复数层之验证处理之流程的 具体例之图。 图9(a1)~(c2)系表示对于实际布局之适用结果之图。 图10系表示考虑对准误差之分布概率之情形时对 设计图案之反馈方式之说明图。 图11A及图11B系表示闸极层,扩散层及接触层之关系 之图。 图12A、B系表示闸极前端部及扩散层之完成图案形 状之关系之图。 图13系表示关于光罩之制造方法及半导体装置之 制造方法之流程图。 |
