发明名称 制造陶瓷坯片的方法及制造使用该陶瓷坯片的电子零件之方法
摘要 本发明提供一种用以制造多层电子零件的片材,其中可确保电子零件形状及形成位置的精确性,及绝缘层的凹部及凸起复杂轮廓的厚度的均匀性。由包含具有一独特电气特性的粉末的光敏材料制造的层形成于一光透射基底构件上。具有复数对紫外光为不同透射比的图型的光罩系设于基底构件的背侧。光敏材料藉通过光罩的紫外光或类似物来照射而接受曝光。光敏材料在曝光程序后接受显影程序。
申请公布号 TWI256651 申请公布日期 2006.06.11
申请号 TW093125908 申请日期 2004.08.27
申请人 TDK股份有限公司 发明人 吉田政幸;须藤纯一;青木俊二;渡边源一
分类号 H01F41/00;H01G13/00 主分类号 H01F41/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种利用曝光及显影程序以制造陶瓷坯片的方 法,包含以下步骤: 将一包含具有一独特电气特性粉末的光敏材料连 接至一构件的前侧面上,该构件具有一可传送用在 曝光程序中的光的部分,该光敏材料系对光敏感的 ,而该前侧面系其上将形成有一片材的表面; 使各特定区域的光的光量不同,然后从该构件的背 侧,以该光照射该光敏材料,以在该光敏材料上执 行曝光程序,及 在该曝光程序后,在该光敏材料上执行显影程序。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该光的光量 系设计成对各特定区域而言系不同的,其作法系藉 使该光通过一光罩来达成,其中该光罩相对应于该 等特定区域的部分的透射比系相互不同者。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该光量是区 分成:至少一藉由完全阻挡该光而获得的光量、一 藉由完全传送该光而获得的光量、及一藉以特定 比率部分传送该光而获得的光量。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中当藉以特定 比率部分传送该光而获得的光量加以曝光的光敏 材料的部分其厚度抵达一特定厚度时,即终止该曝 光程序。 5.根据上述申请专利范围第1至4项中任一项之方法 ,其中另包以一电传导材料填充该陶瓷坯片上藉该 显影程序形成的一凹部的步骤。 6.根据上述申请专利范围第1至4项中任一项之方法 ,另包含在将光敏材料连接至该构件的前侧面之前 ,先形成一光阻部分的步骤,该光阻部分包含不会 将该光传送到该构件前侧面特定区域的材料。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中对该构件施 加一释放程序,以便利该陶瓷坯片自该构件的表面 上释放。 8.一种利用曝光及显影程序以制造陶瓷坯片的方 法,包含以下步骤: 将一包含具有一独特电气特性粉末的光敏材料连 接至一构件的前侧面上,该构件具有一可传送用在 曝光程序中的光的部分,该光敏材料系对光敏感的 ,而该前侧面系其上将形成有一片材的表面; 从该构件的背侧,以该光照射该光敏材料,以在该 光敏材料上执行曝光程序,各特定区域的光的光量 系设成不同,及 在该曝光程序后,在该光敏材料上执行显影程序。 9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该光包含一 光束,且各特定区域的光量系藉以该光束来扫瞄而 设成不同。 10.根据申请专利范围第9项之方法,其中以该光束 来扫瞄的作业,是在对应于各特定区域的条件下进 行。 11.一种制造多层电子零件的方法,包含下列步骤: 堆叠复数陶瓷坯片的步骤,该等陶瓷坯片包含一依 据上述申请专利范围第1-4项,及7-10中任一项之制 造方法制成的陶瓷坯片,及 沿该等堆叠陶瓷坯片的厚度方向对其等施压以形 成一层压构件的步骤。 12.一种制造多层电子零件的方法,包含下列步骤: 堆叠复数陶瓷坯片的步骤,该等陶瓷坯片包含一依 据申请专利范围第5项之制造方法制成的陶瓷坯片 ,及 沿该等堆叠陶瓷坯片的厚度方向对其等施压以形 成一层压构件的步骤。 13.一种制造多层电子零件的方法,包含下列步骤: 堆叠复数陶瓷坯片的步骤,该等陶瓷坯片包含一依 据申请专利范围第6项之制造方法制成的陶瓷坯片 ,及 沿该等堆叠陶瓷坯片的厚度方向对其等施压以形 成一层压构件的步骤。 图式简单说明: 图1系依据本发明第一较佳具体实施例之陶瓷坯片 制造程序的示意图。 图2是依据本发明第二较佳具体实施例之陶瓷坯片 制造程序的示意图。 图3揭示利用依据本发明方法制造的陶瓷坯片来制 造多层陶瓷感应器的程序的示意图。 图4揭示利用依据本发明方法制造的陶瓷坯片来制 造多层陶瓷电子零件的程序的示意图。 图5是依据本发明另一较佳具体实施例之陶瓷坯片 制造程序的示意图,其中先形成一光阻层。 图6是依据本发明再一较佳具体实施例之陶瓷坯片 制造程序的示意图,其中先形成一光阻层。
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