| 主权项 |
1.一种固态成像装置,包含多个单位像素部份在二 维方式,其中,每一单位像素部份包含: 一第一导电性型基体; 一第二导电性型半导体层,设置第一导电性型基体 上; 一第一导电性型井区,设置于第二导电性型半导体 层上; 一光接收区,设置于第一导电性型井区中,光接收 区当由光照射时,产生电荷; 一电荷累积区,设置于第一导电性型井区中,电荷 累积区累积来自光接收区之电荷;及 一电晶体,能读出与电荷累积区中所累积之电荷量 相当之信号, 其中,光接收区之表面由与电晶体之闸绝缘薄膜相 同之材料所制之绝缘薄膜覆盖。 2.如申请专利范围第1项所述之固态成像装置,其中 ,一侧壁设置于电晶体之闸电极之一侧边上。 3.如申请专利范围第1项所述之固态成像装置,其中 ,一矽化物层设置于电晶体之每一源区,一汲区,及 一闸电极之一表面上。 4.如申请专利范围第1项所述之固态成像装置,其中 ,电晶体之闸绝缘薄膜及覆盖光接收区之绝缘薄膜 各为一多层薄膜,包含具有不同折射率之二或更多 绝缘薄膜。 5.一种用以制造固态成像装置之方法,其中,固态成 像装置包含多个像素部份,各包含: 一光接收区,当由光照射畤产生电荷; 一电荷累积区,用以累积所产生之电荷;及 一电晶体,用以读出与所累积之电荷量相当之信号 ,该方法包含以下步骤: 形成一第二导电型半导体层于一第一导电型基底 之上; 形成一第一导电型井区于该第二导电型半导体层 之上; 形成该光接收区于该第一导电型井区之中; 形成该电荷累积区于该第一导电型井区之中; 同时形成电晶体之一闸绝缘薄膜及覆盖光接收区 之一表面之一绝缘薄膜;以及 形成该电晶体。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,包含: 制造一闸电极,具有一侧壁在其一侧边上,在闸绝 缘薄膜上。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,包含: 在形成闸电极后,刻图该绝缘薄膜,以露出欲成为 电晶体之源区及汲区之一扩散层,留下闸电极下方 之闸绝缘薄膜及光接收区覆盖薄膜; 形成一高熔点金属层,用以构制一矽化物层于包含 该扩层,电晶体之闸电极,及光接收区覆盖薄膜之 一区域上; 使用热处理构制矽化物层于每一扩散层及闸电极 上;及 除去未反应之高熔点金属层。 8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,构制绝 缘薄膜包含构制具有不同折射率之二或更多层之 绝缘薄膜。 图式简单说明: 图1为平面图,显示本发明之实施例之MOS影像感测 器中之单位像素部份之示范布置。 图2为沿图1之线A-A'所取之断面图。 图3A至3L为断面图,依次显示图1及2之MOS影像感测器 10之示范生产步骤。 图4A至4C为断面图,依次显示本发明之另一实施例 之MOS影像感测器之示范生产步骤。 图5为断面图,显示普通MOS影像感测器之结构。 图6A至6D为普通MOS影像感测器之断面图。 |
