DISPOSITIF DE MEMOIRE NON VOLATILE A POINTS D'INTERSECTION UTILISANT UNE COUCHE D'OXYDE DE METAL BINAIRE EN TANT QUE COUCHE DE MATERIAU DE STOCKAGE DE DONNEES, ET PROCEDES DE FABRICATION

摘要

Un dispositif de mémoire non volatile à points d'intersection comprend des lignes dopées (106) mutuellement espacées, disposées dans un substrat (100). Des électrodes supérieures (116) mutuellement espacées croisent à un niveau supérieur les lignes dopées (106), de façon à former des points d'intersection. Des électrodes inférieures (110') sont disposés aux points d'intersection entre les lignes dopées (106) et les électrodes supérieures (116). Une couche d'oxyde de métal binaire (114) est formée entre les électrodes supérieures et inférieures et constitue une couche de matériau de stockage de données. Des régions dopées (108') avec une conductivité opposée à celle des lignes dopées (106) sont formées entre les électrodes inférieures (110') et les lignes dopées (106), et forment des diodes avec les lignes dopées.