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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING OF AN EPITAXIAL CONTACT PLUG, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING A DOUBLE STACKED TRANSISTOR USING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060041514(A) 申请公布日期 2006.05.12
申请号 KR20040090749 申请日期 2004.11.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JANG, KI HOON;KO, YONG SUN;KIM, KYUNG HYUN
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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