| 主权项 |
1.一种多层布线结构,其包含: 一支撑基材,其一表面上系界定有一第一区域、一 环绕该第一区域之环形第二区域,以及一环绕该第 二区域之第三区域; 一设置在该支撑基材上方之第一布线层,一布线系 形成在该第三区域内,虚设图案系形成在该第二区 域内,而导电性图案系未形成在该第一区域内;以 及 一设置在该第一布线层上方与该第一区域内之功 能性构件。 2.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其中该第 二区域系包括一在一第一区域侧上之第一副区域 以及一在该第一副区域之外侧的第二副区域,且该 第一副区域之图案密度系比该第二副区域之图案 密度为低。 3.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其进一步 包含一设置在该第一布线层与该功能性构件间之 第二布线层,导电性图案系未形成在该第二布线层 之第一与第二区域内,或者仅直接连接至该功能性 构件之布线系形成在该第二布线层之第一与第二 区域内。 4.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其进一步 包含至少一设置在该支撑基材与该第一布线层间 之第三布线层,导电性图案系形成在该第一布线层 与第三布线层两者之第一区域内,且虚设图案系形 成在该第一布线层与该第三布线层之第二区域内 。 5.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其中该第 一区域系一环形区域,该多层布线结构进一步包含 一被该第一区域环绕之第四区域,该功能性构件系 一未设置在该第四区域但设置在该第一区域内之 电感器,且虚设图案系形成在该第一布线层之该第 四区域内。 6.如申请专利范围第5项之多层布线结构,其进一步 包含至少一设置在该支撑基材与该第一布线层间 之第三布线层,且虚设图案系形成在该第一布线层 与该第三布线层两者之第四区域内。 7.如申请专利范围第6项之多层布线结构,其中导电 性图案系未形成在该第一布线层与该第三布线层 两者之第一区域内,且虚设图案系形成在该第一布 线层与第三布线层之第二区域内。 8.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其进一步 包含: 一半导体作用元件,其系形成在该第三区域内以及 于该支撑基材之表面上;以及 一构件隔离绝缘薄膜,其包含覆盖该支撑基材表面 之第一与第二区域。 9.如申请专利范围第1项之多层布线结构,其中该第 一区域之一外围系形成一正方形或长方形,且该第 二区域之宽度系为该正方形之侧边或该长方形之 短边的至少0.3倍大。 10.一种多层布线结构,其包含: 一支撑基材,其具有分别界定于该支撑基材之一表 面上的一环形第一区域、一环绕该第一区域之第 二区域,以及一被该第一区域所环绕之第三区域; 一设置在该支撑基材上方之第一布线层,一布线系 形成在该第二区域内,虚设图案系形成在该第三区 域内,而导电性图案系未形成在该第一区域内;以 及 一设置在该第一布线层上方与该第一区域内之功 能性构件。 11.如申请专利范围第10项之多层布线结构,其进一 步包含一设置在该第一布线层与该功能性构件间 之第二布线层,导电性图案系未形成在该第二布线 层之第一与第三区域内,或者仅直接连接至该功能 性构件之布线系形成在该第二布线层之第一区域 内。 12.如申请专利范围第10项之多层布线结构,其进一 步包含至少一设置在该支撑基材与该第一布线层 间之第三布线层,导电性图案系未形成在该第一布 线层与第三布线层之第一区域内,且虚设图案系形 成在该第一布线层与该第三布线层之第三区域内 。 13.如申请专利范围第10项之多层布线结构,其进一 步包含: 一半导体作用元件,其系形成在该第二区域内以及 于该支撑基材之表面上;以及 一构件隔离绝缘薄膜,其包含覆盖该支撑基材表面 之第一与第三区域。 图式简单说明: 第1图系具有根据一实施例之多层布线结构之半导 体元件的平面图; 第2图系沿显示于第1图之平面图中之单点链线A2-A2 所取的截面图; 第3图系沿显示于第1图之平面图中之单点链线A3-A3 所取的截面图; 第4图系根据该实施例之多层布线结构之第一与第 二层的截面图; 第5A至5C图系显示虚设图案之设计实例的平面图; 第6图系显示根据一实施例之一多层布线结构在CMP 后,布线层表面之平坦度的测量结果图; 第7A与7C图系显示评估样品(evaluation samples)之图案 限制区域与虚设图案区域之设计的平面图,而第7B 图与7D图系显示在第7A与7C图中之评估样品之表面 平坦度的测量结果图; 第8A至8C图系显示评估样品之图案限制区域与虚设 图案区域之设计的平面图;以及 第9A至9C图系显示在第8A至8C图中之评估样品之表 面平坦度的测量结果图。 |
