| 主权项 |
1.一显示元件,至少包括: 一薄膜电晶体(TFT); 一画素电极,由该薄膜电晶体控制该画素电极;及 一第一电容电极与一第二电容电极,而该第一电容 电极与该第二电容电极系藉由一第一电极电性连 接; 其中,该画素电极系具有一第一狭缝(slit)。 2.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中电性 连接该第一电容电极与该第二电容电极之该第一 电极系为一画素电极。 3.如申请专利范围第2项所述之显示元件,其中该显 示元件另包含一第三电容电极,且该第三电容电极 系藉由该画素电极与该第一电容电极与该第二电 容电极电性连接,且该画素电极另包含有一第二狭 缝,该第二狭缝系介于该第二电容电极及该第三电 容电极与该画素电极之两电性连接区之间。 4.如申请专利范围第3项所述之显示元件,其中该第 二电容电极系介于该第一电容电极与该第三电容 电极之间,且该第二电容电极的电容量系与该第一 电容电极及该第三电容电极的电容量不同。 5.如申请专利范围第3项所述之显示元件,其中该第 二电容电极的电容量系大于该第一电容电极的电 容量与该第三电容电极的电容量。 6.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中电性 连接该第一电容电极与该第二电容电极之第一电 极系为一电场电极。 7.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该第 一狭缝系介于该第一电容电极及该第二电容电极 与该画素电极之两电性连接区之间。 8.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该画 素电极为一图案化之透明电极(patterned ITO)。 9.如申请专利范围第1项所述之显示元件,其中该显 示元件系为一液晶显示元件,其中该液晶显示元件 另包含一垂直配向之液晶层,且该第一狭缝系用以 调整该液晶层之方位(orientation)使得当电压施加时 ,该液晶层之液晶分子系被倾斜配向而使该方位包 含复数个方向。 10.如申请专利范围第1项所述之显示元件更包括一 第一金属层形成于一基板上,并以一第一绝缘层覆 盖于该第一金属层上。 11.如申请专利范围第10项所述之显示元件更包括 一第二金属层,且该第二金属层具有相隔开之一第 一部份和一第二部份,以与该第一金属层分别形成 该第一电容电极与该第二电容电极。 12.如申请专利范围第11项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之位置系与该第二金属层之该第一部份 和该第二部份的一隔开处相对应。 13.如申请专利范围第11项所述之显示元件更包括 一保护层以覆盖该第二金属层,该第一电极系位于 该保护层上。 14.如申请专利范围第13项所述之显示元件,其中该 保护层具有一第一开口和一第二开口(via),该第一 电极利用该第一开口和该第二开口分别与该第一 电容电极和该第二电容电极电性连接。 15.如申请专利范围第14项所述之显示元件,其中该 第一开口系位于该第一狭缝之一侧,该第二开口位 于该第一狭缝之另一侧。 16.如申请专利范围第11项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之长度系跨越该第二金属层之宽度。 17.如申请专利范围第11项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之长度系跨越该第一金属层之宽度。 18.一显示元件,至少包括: 一第一金属层,形成于一基板上; 一第一绝缘层,覆盖该金属层; 一第二金属层,系形成于该第一绝缘层上并具有一 第一部分与一第二部分,其中该第一部分与该第二 部份系相隔一间隙; 一第二绝缘层,系覆盖该第二金属层,并具有一第 一开口(first via)和一第二开口,以分别暴露该第二 金属层的该第一部分与该第二部份; 一电极层,形成于该第二绝缘层上方并具有一第一 狭缝(slit),该第一狭缝之位置系与该第二金属层的 该第一部分和该第二部份相隔之该间隙相对应; 其中,该第二金属层的该第一部分和该第二部份系 利用该电极层电性导通。 19.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之位置系介于该第二金属层的该第一部 分及该第二部份与该电极层之电性连接区之间。 20.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 电极层为一图案化之透明电极层。 21.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第二金属层的该第一部分和该第二部份系与下方 之该第一金属层产生一第一电容与一第二电容。 22.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 电极层利用该第二绝缘层之该第一开口和该第二 开口分别与该第二金属层的该第一部分与该第二 部份电性连接。 23.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第一开口系位于该第一狭缝之一侧,该第二开口位 于该第一狭缝之另一侧。 24.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之长度系跨越该第二金属层之宽度。 25.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第一狭缝之长度系跨越该第一金属层之宽度。 26.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 显示元件系为一液晶显示元件,其中该液晶显示元 件另包含一垂直配向之液晶层,且该第一狭缝系用 以调整该液晶层之方位(orientation)使得当电压施加 时,该液晶层之液晶分子系被倾斜配向而使该方位 包含复数个方向。 27.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 第二金属层更包含一第三部分,且该第三部份系利 用该电极层与该第一部分和该第二部份电性导通, 且该电极层更具有一第二狭缝,该第二狭缝系介于 该第二部份及该第三部分与该电极层之两电性连 接区之间。 28.如申请专利范围第27项所述之显示元件,其中该 第二金属层的该第一部分、该第二部份和该第三 部分系与下方之该第一金属层产生一第一电容、 一第二电容和一第三电容。 29.如申请专利范围第28项所述之显示元件,其中该 第二金属层的该第二部分介于该第一部分与该第 三部分之间,且该第二电容系不同于该第一电容和 该第三电容。 30.如申请专利范围第29项所述之显示元件,其中该 第二电容系大于该第一电容与该第三电容。 31.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 电极层为一画素电极层。 32.如申请专利范围第18项所述之显示元件,其中该 电极层为一电场电极层。 33.一种显示元件之电性修补方法,该方法包括步骤 如下: 提供一至少具有一第一电容电极与一第二电容电 极之显示元件,其中该显示元件系藉由一第一电极 电性连接该第一电容电极与该第二电容电极,该第 一电极更具有一第一狭缝,该第一狭缝之位置系介 于该第一电容电极和该第二电容电极与该第一电 极之电性连接区之间; 检查该显示元件是否需要有短路现象,并决定需要 修补之位置; 移除部分第一电极,使该第一电容电极和该第二电 容电极电性隔绝。 34.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中电性连接该第一电容电极与该第二电容电极之 该第一电极系为一画素/电极。 35.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中该显示元件系因一资料线(data line)与该第一电 极造成之短路现象。 36.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中该显示元件需要修补之位置系由造成短路的一 微粒之落点位置决定。 37.如申请专利范围第36项所述之电性修补方法,其 中该显示元件系因该第一电容电极和该第二电容 电极其中之一短路。 38.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中该第一电容电极和该第二电容电极系与一共同 电极形成一电容,而该第一电极之该第一狭缝的两 端系跨越该共同电极之宽度。 39.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中系以雷射切割方式进行移除部分第一电极之步 骤。 40.如申请专利范围第39项所述之电性修补方法,其 中进行移除步骤时,系在该共同电极之外侧以平行 该共同电极之方向对该第一电极进行部分切割。 41.如申请专利范围第33项所述之电性修补方法,其 中电性连接该第一电容电极与该第二电容电极之 该第一电极系为一电场电极。 42.一种显示元件之电性修补方法,该方法包括步骤 如下: 提供一至少具有一第一电容电极与一第二电容电 极之显示元件,其中该显示元件系藉由一画素电极 电性连接该第一电容电极与该第二电容电极,该画 素电极更具有一第一狭缝,该第一狭缝之位置系介 于该第一电容电极和该第二电容电极与该画素电 极之电性连接区之间; 检查该显示元件是否需要有短路现象,并决定需要 修补之位置; 若该显示元件在相对于该第一电容电极处需要修 补,则移除相对于该第一电容电极处之部分画素电 极,使该第一电容电极和该第二电容电极与其余画 素电极电性隔绝; 若该显示元件在相对于该第二电容电极处需要修 补,则移除相对于该第二电容电极处之部分画素电 极,使该第二电容电极和该第一电容电极与其余画 素电极电性隔绝。 图式简单说明: 第1A图绘示传统之一种液晶显示器之第二面板的 TFT之剖面示意图,其中该剖面系沿着第1C图中1A-1A 剖面线绘制; 第1B图绘示传统之一种液晶显示器之第二面板的 储存电容结构之剖面示意图,其中该剖面系沿着第 1C图中1B-1B剖面线绘制; 第1C图绘示传统之一种多域垂直配向型模式(MVA Mode)之液晶显示器的单一画素之示意图; 第1D图绘示第1C图之画素产生讯号短路与传统修补 方法之示意图; 第1E图绘示沿着第1C图中1E-1E剖面线之剖面示意图; 第2A、2B图分别绘示一种传统上形成储存电容于闸 极线GL间(CST on gate)之液晶显示器的单一画素,以及 修补方法之示意图; 第3A、3B图分别绘示一种传统之平面旋转型(IPS Mode )之液晶显示器的单一画素,以及修补方法之示意 图; 第4图绘示本发明第一实施例之显示元件之储存电 容结构之剖面示意图; 第5A、5B图绘示第一实施例之液晶额示器的单一画 素,以及修补方法之示意图; 第6图为本发明第二实施例之一种液晶显示器的单 一画素及其修补方法之示意图,其中储存电容系形 成于电容电极和共同电极之间(CST on Com); 第7图为本发明第二实施例之另一种液晶显示器的 单一主素及其修补方法之示意图,其中储存电容系 形成于电容电极和闸极之间(CST on Gate); 第8A、8B图为本发明第三实施例之一种液晶显示器 的单一画素结构、及其修补方法之示意图; 第9A、9B图系绘示本发明第四实施例之单一画素结 构、及其修补方法之示意图。 |
