于半导体装置中形成闸极氧化物之方法

摘要

本发明揭示一种形成一半导体装置之一闸极氧化物薄膜之方法，其包含以下步骤：在一半导体基板上连续形成一闸极氧化物薄膜及一多晶矽薄膜；对包括该闸极氧化物薄膜与该多晶矽薄膜之半导体基板实行一氮离子植入程序；实行一热处理程序以藉由在该半导体基板与该闸极氧化物薄膜之间之一介面处，以及在该闸极氧化物薄膜与该多晶矽薄膜之间之一介面处的氧化物与氮组合来形成阻障层；以及在该多晶矽薄膜上形成一氮化物薄膜。

主权项

1.一种用于形成一半导体装置之一闸极氧化物薄 膜之方法,其包含以下步骤: 在一半导体基板上连续形成一闸极氧化物薄膜及 一多晶矽薄膜; 对包括该闸极氧化物薄膜与该多晶矽薄膜之该半 导体基板实行一氮离子植入程序; 实行一热处理程序以藉由在该半导体基板与该闸 极氧化物薄膜之间之一介面处以及在该闸极氧化 物薄膜与该多晶矽薄膜之间之一介面处的氧化物 与氮之组合而形成阻障层;以及 在该多晶矽薄膜上形成一氮化物薄膜。 2.如申请专利范围第1项之形成一半导体装置之一 闸极氧化物薄膜之方法,其中藉由一RTP火花退火程 序而实行该热处理程序。 3.如申请专利范围第1项之形成一半导体装置之一 闸极氧化物薄膜之方法,其中藉由使用包括N+或N2+ 之一源气体并以1E14个原子/cm2至1E16个原子/cm2之一 剂量与1 keV至20 keV之一植入能量来实行该氮离子 植入程序。 4.如申请专利范围第2项之形成一半导体装置之一 闸极氧化物薄膜之方法,其中在一N2气体环境中实 行该RTP火花退火程序,一斜波充电温度为约100℃/ 秒,而该RTP温度为900℃至1100℃。 图式简单说明: 图1A至1C系用于解说依据一传统方法形成一半导体 装置之一闸极氧化物之一方法之断面图。 图2A至2D系用于解说依据本发明形成一半导体装置 之一闸极氧化物之一方法之断面图。