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1.一种含微间隙之金属接面结构的制造方法,其步 骤包含: 提供一基材; 形成一第一金属层于该基材表面; 形成一铝材于该第一金属层表面; 进行阳极处理,使该铝材形成一具有复数个中空孔 柱的氧化铝材,且该些中空孔柱系穿透至该氧化铝 材底部以露出该第一金属层; 形成一第二金属层于该氧化铝材上并延伸进入该 中空孔柱形成一导线,使该第一金属层与该第二金 属层的该导线作电性连接;及 通入电流于该第一金属层与该第二金属层产生电 致迁移,直到该第一金属层与该第二金属层之间形 成一微间隙。 2.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该些中空孔柱之孔径为30~ 50nm之间。 3.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中更包含一沉积一低功函数 材料层于该氧化铝材之该些中空孔柱内的步骤。 4.如申请专利范围第3项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该微间隙形成于该第一金 属层与该低功函数材料层的接面。 5.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该低功函数材料层之材质 系选自铯、碳管、掺杂Ⅲ族元素的钻石或掺杂V族 元素的钻石所组成之族群。 6.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该第一金属层之材质系为 高熔点金属材料,该第二金属层之材质相对于该第 一金属层系为低熔点金属材料。 7.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该第一金属层系以化学气 相沉积法、物理气相沉积法、电镀与无电镀法的 其中之一方法所形成。 8.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中更包含一形成一黏着层于 该基材上之步骤。 9.如申请专利范围第8项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中更包含一形成一蚀刻阻障 层于该黏着层上之步骤。 10.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中更包含一结合一高分子材 于该第一金属层上的边缘部位之步骤。 11.如申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接 面结构的制造方法,其中该第二金属层系以化学气 相沉积法、物理气相沉积法、电镀与无电镀法的 其中之一方法所形成。 12.申请专利范围第1项所述之含微间隙之金属接面 结构的制造方法,其中该阳极处理之步骤系为两阶 段的阳极处理,以形成规则且具有足够深度的该些 中空孔柱。 图式简单说明: 第1A图至第1F图为本发明第一实施例的制造方法流 程示意图;及 第2A图至第2G图为本发明第二实施例的制造方法流 程示意图。 |
