| 主权项 |
1.一种于一半导体基板上制造一垂直状电极的方 法,其包括: a)于该基板上提供一抗蚀刻结构,该抗蚀刻结构至 少含有: - 一被排列于该基板上且具有一第一开孔的第一 抗蚀刻图案,该第一抗蚀刻剂系一负向抗蚀刻剂, 及 - 一具有一围绕该第一开孔之第二开孔的第二抗 蚀刻图案,该第一与第二开孔之相对位置可界定一 该电极之垂直形状; b)于该抗蚀刻结构上沉积一金属;及 c)执行剥离处理,以移除该第二抗蚀刻图案与沉积 其上的金属。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一抗蚀刻 剂包括三氧化矽院或其它电子抗蚀刻剂。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一抗蚀刻 图案会至少一部份残留于该电极旁边或下方区域 内之基板上。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一抗蚀刻 图案会至少一部份残留于该电极旁边及下方区域 内之基板上。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)包括利 用倒置的准直线能量或剂量曲线对该负向抗蚀刻 剂进行曝光。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)包括对 该第一与该第二抗蚀刻剂分开进行曝光。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤a)包括对 该第一与该第二抗蚀刻剂同时进行曝光。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该抗蚀刻结构 含有一被排列于该第二抗蚀刻图案之上且有一凸 出于该第二抗蚀刻图案的第三抗蚀刻图案。 9.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括以下步 骤: d)显影该第一抗蚀刻剂图案。 10.一种半导体装置,其包括: - 一基板; - 一被排列于该基板上之垂直状电极; - 一被排列于该基板与该电极之间的孔穴;及 -一图案化之负向抗蚀刻剂,其系至少一部份被排 列于该孔穴。 11.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该负 向抗蚀刻剂包括三氧化矽烷或其它电子抗蚀刻剂 。 12.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该负 向抗蚀刻剂的介电常数r<4,5。 13.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该负 向抗蚀刻剂覆盖该孔穴之外区域的基板。 14.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中一该 电极与该基板之间的接触区域系被排列于一经过 蚀刻后之凹部中。 15.如申请专利范围第10项之半导体装置,其中该负 向抗蚀刻剂系被排列于其有倒置的准直线图案之 孔穴内。 图式简单说明: 图1a至1d所示的系根据本发明示范具体实施例之先 前技术剂量曲线或能量曲线; 图2a、2b所示的系根据本发明于一半导体基板之上 制造一垂直状闸极电极之方法之第一具体实施例; 图3至6所示的系根据本发明于一半导体基板之上 制造一垂直状闸极电极之方法之其它四个具体实 施例。 |
