| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆装置,其系具备可变电 阻元件,而该可变电阻元件系具有包含钙钛矿型金 属氧化膜之可变电阻体,且前述可变电阻体系以结 晶与非结晶混合在一起的状态成膜。 2.如请求项1之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 可变电阻元件系依序积层下部电极、前述可变电 阻体与上部电极而成者。 3.如请求项1之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 可变电阻体为以350℃-500℃范围内之成膜温度所成 膜之以通式Pr1-xCaxMnO3所示的Pr/Ca/Mn氧化物。 4.如请求项1之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 可变电阻体系形成于比最下层之金属配线层更上 层。 5.如请求项1之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 可变电阻体以非结晶状态或结晶与非结晶混合在 一起的状态之成膜温度成膜后,以较前述成膜温度 高温且前述可变电阻体在可维持结晶与非结晶混 合在一起的状态之温度范围进行退火处理而形成 者。 6.如请求项5之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 成膜温度为500℃以下。 7.如请求项5之非挥发性半导体记忆装置,其中前述 可变电阻体为以通式Pr1-xCaxMnO3所示的Pr/Ca/Mn氧化 物。 图式简单说明: 图1系表示具备本发明之钙钛矿型金属氧化膜,其 可变电阻元件之初期电阻値与是否可开关动作之 关系图。 图2系模式地表示用于本发明之非挥发性半导体记 忆装置的可变电阻元件之基本构造的剖面图。 图3系表示形成PCMO膜作为钙钛矿型结晶构造之可 变电阻体的一例时,其溅镀成膜温度与PCMO膜的电 阻率之关系的特性图。 图4系表示用于本发明之非挥发性半导体记忆装置 的记忆胞之一构成例的等价电路图(A)及模式地表 示其段面构造之剖面图(B)。 图5系表示用以制作本发明之非挥发性半导体记忆 装置的记忆胞之第1层金属配线,其形成步骤以后 的步骤例之步骤表。 图6系藉溅镀法在300℃下形成PCMO膜后,在氧气氛中 以500℃退火15分钟所形成时之可变电阻元件的剖 面TEM图像。 图7系藉溅镀法在300℃下形成PCMO膜后,在氮气氛中 以525℃退火15分钟所形成时之可变电阻元件的剖 面TEM图像。 图8系表示图6所示之可变电阻元件的开关动作例 之图。 图9系表示本发明之非挥发性半导体记忆装置的全 体构成之区块图。 图10系模式地表示用于本发明之非挥发性半导体 记忆装置的记忆胞构造之另一例的剖面图。 图11系表示本发明之非挥发性半导体记忆装置的 记忆阵列之一构成例的电路图。 |
