发明名称 移除微碟片表面之污染源的方法
摘要 一种移除微碟片表面之污染源的方法,其主要是依序利用擦净及抛光两个制程,用以将溅镀之后的微碟片表面的碳微粒和污染源加以移除的方法。其中,擦净及抛光制程之主要的制程条件系为施加于研磨带的负载力量、研磨带本身的张力、研磨带的移动速率、研磨带的宽度、微碟片之旋转速率及制程时间等。因此,本方法乃是经由微碟片之擦净及抛光制程等制程参数的建立,藉以移除微碟片表面之污染源。
申请公布号 TWI254924 申请公布日期 2006.05.11
申请号 TW092114670 申请日期 2003.05.30
申请人 铼德科技股份有限公司 发明人 李镛修
分类号 G11B23/50 主分类号 G11B23/50
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种移除微碟片表面之污染源的方法,适用于移 除一微碟片之表面的污染源,该移除微碟片表面之 污染源的方法包括: (a)擦净该微碟片之表面,包括: (a1)旋转该微碟片,其中该微碟片之转速的范围为80 ~1200转/分钟, (a2)配置一不具研磨颗粒之研磨带于该微碟片之表 面,其中该不具研磨颗粒之研磨带之张力的范围为 20~120克重,且该不具研磨颗粒之研磨带之移动速率 的范围为20~120公厘/分钟, (a3)施加一第一负载力量于该不具研磨颗粒之研磨 带上,以使该不具研磨颗粒之研磨带擦净该微碟片 之表面,其中该第一负载力量之范围为5~40克重,以 及 (a4)擦净该微碟片之表面的时间范围为2~12秒;以及 (b)抛光该微碟片之表面,包括: (b1)旋转该微碟片,其中该微碟片之转速的范围为40 ~1200转/分钟, (b2)配置一具有研磨颗粒之研磨带于该微碟片之表 面,其中该具有研磨颗粒之研磨带之张力的范围为 40~200克重,且该具有研磨颗粒之研磨带之移动速率 的范围为20~60公厘/分钟, (b3)施加一第二负载力量于该具有研磨颗粒之研磨 带上,以使该具有研磨颗粒之研磨带抛光该微碟片 之表面,其中该第二负载力量之范围为40~400克重, 以及 (b4)抛光该微碟片之表面的时间范围为2~10秒。 2.如申请专利范围第1项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中产生该第一负载力量的方式包 括利用气体来加以产生。 3.如申请专利范围第2项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该第一负载力量之范围为5~20 克重。 4.如申请专利范围第2项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该不具研磨颗粒之研磨带之编 织布之纵横编织比为1:1~1:3。 5.如申请专利范围第1项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中产生该第一负载力量的方式包 括利用一海绵滚轮来加以产生。 6.如申请专利范围第5项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该海绵滚轮之硬度为15~30。 7.如申请专利范围第5项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该不具研磨颗粒之研磨带之编 织布之纵横编织比为1:3~1:7。 8.如申请专利范围第1项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中产生该第二负载力量的方式包 括利用一海绵滚轮来加以产生。 9.如申请专利范围第8项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该海绵滚轮之硬度为30~80。 10.如申请专利范围第1项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该不具研磨颗粒之研磨带之宽 度为12~13公厘。 11.如申请专利范围第1项所述之移除微碟片表面之 污染源的方法,其中该具有研磨颗粒之研磨带之宽 度为12~13公厘。 图式简单说明: 第1图绘示为微碟片之擦净及抛光制程,其利用气 体提供负载力量的示意图;以及 第2图绘示为微碟片之擦净及抛光制程,其利用海 绵滚轮提供负载力量的示意图。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路42号
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