| 主权项 |
1.一种固态影像感测器,其具有配置成二维阵列的 多数单元像素部分,每一单元像素部分包含一光接 收区域以及一电晶体,该光接收区域藉由光辐射产 生电荷,该电晶体根据该光接收区域输出一电讯号 ,其中: 每一单元像素部分包含第一导电类型井区,系设于 第一导电类型基底的第二导电类型半导体层之上, 部分该第一导电类型井区以及层叠在部分该第一 导电类型井区之上的第二导电类型半导体层区域, 形成该光接收区域; 用以储存该光接收区域中所产生电荷的电荷储存 区域,系设于该第一导电类型井区内,以使根据储 存在该电荷储存区域中的电荷量从该电晶体读出 一电讯号;以及 该第二导电类型半导体层区域在该第一导电类型 基底之深度方向上的一最大杂质浓度部分,系位于 该第一导电类型基底的一表面上。 2.如申请专利范围第1项所述之固态影像感测器,包 含由一热氧化薄膜所形成的一绝缘薄膜,以覆盖该 第一导电类型基底的该表面。 3.如申请专利范围第2项所述之固态影像感测器,其 中该绝缘薄膜的薄膜厚度设定为200埃。 4.如申请专利范围第1项所述之固态影像感测器,其 中该电晶体系为一金氧半电晶体。 5.一种用以制造如申请专利范围第1至4项中任一项 所述之固态影像感测器的方法,包含: 在该第一导电类型基底的每一单元像素部分中形 成第二导电类型半导体层,以及在该第二导电类型 半导体层上形成第一导电类型井区; 在该已形成的第一导电类型井区中形成该电荷储 存区域; 形成一绝缘薄膜以覆盖该第一导电类型基底的该 表面;以及 藉由该已形成的绝缘薄膜将杂质离子布植至该第 一导电类型基底,并在该第一导电类型井区上的该 光接收区域中形成第二导电类型半导体层区域, 其中,在上述布植杂质的步骤中设定布植条件,使 得在该第一导电类型基底之深度方向上的一最大 浓度部分系位于该第一导电类型基底的该表面上 。 6.如申请专利范围第5项所述之用以制造固态影像 感测器的方法,其中在上述布植杂质的步骤中设定 布植条件,使得杂质离子的一平均范围系在该绝缘 薄膜之内。 7.如申请专利范围第5项所述之用以制造固态影像 感测器的方法,更包含在上述形成该电荷储存区域 的步骤后,在该第一导电类型基底的该表面上形成 一闸极绝缘薄膜,以形成该电晶体的一闸电极,并 且接着移除除了位于该已形成的闸电极下方的该 些区域以外区域中的该闸极绝缘薄膜,其中在上述 移除该绝缘薄膜的步骤后,形成用以覆盖该第一导 电类型基底之该表面的一绝缘薄膜。 8.如申请专利范围第5项所述之用以制造固态影像 感测器的方法,其中用以覆盖该第一导电类型基底 之该表面的该绝缘薄膜系为一热氧化薄膜。 图式简单说明: 第1图系为一平面图,用以说明根据本发明的MOS影 像感测器一实施例中的单元像素部分的布局; 第2图系为第1图中沿着A-A线的横断面图; 第3A图至3K图系为横断面图,用以各自地说明制造 如第1图所示的MOS影像感测器之制程的相关步骤; 第4图系为一图式,用以说明根据本发明的光接收 二极体中的n型杂质浓度之分布; 第5图系为一图式,用以说明根据本发明表面生成 漏电流与布植平均范围之间的关系; 第6A图至6B图系为横断面图,用以各自地说明制造 习知的MOS影像感测器之制程的相关步骤;以及 第7图系为一图式,用以说明习知的光接收二极体 中的n型杂质浓度之分布。 |
