发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号 DE60209835(D1) 申请公布日期 2006.05.11
申请号 DE2002609835 申请日期 2002.07.30
申请人 CANON SALES CO. INC.;SEMICONDUCTOR PROCESS LABORATORY, CO 发明人 SHIOYA;NISHIMOTO;SUZUKI;OHGAWARA;MAEDA
分类号 H01L21/318;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/532 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人
主权项
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