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Eine Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung weist Folgendes auf: ein Halbleitersubstrat, das ein Siliziumkarbidsubstrat (1, 61), eine erste Halbleiterschicht (2), eine zweite Halbleiterschicht (3) und eine dritte Halbleiterschicht (4) aufweist; einen Graben bzw. Trench (5), welcher die zweiten und dritten Halbleiterschichten (3, 4) durchdringt, so dass er die erste Halbleiterschicht (2) erreicht; eine Kanalschicht (6) an einer Seitenwandung und einer Unterseite des Grabens (5); einen Oxidfilm (8) an der Kanalschicht (6); eine Gate-Elektrode (9) an dem Oxidfilm (8); eine erste Elektrode (14), welche mit der dritten Halbleiterschicht (4) eine Verbindung herstellt; und eine zweite Elektrode (19), welche mit dem Siliziumkarbidsubstrat (1, 61) eine Verbindung herstellt. Eine Position einer Grenze zwischen der ersten Halbleiterschicht (2) und der zweiten Halbleiterschicht (3) ist niedriger angeordnet als eine äußerste unterste Position des Oxidfilms (8). |
