NOR- AND NAND MEMORY ARRANGEMENT OF RESISTIVE MEMORY ELEMENTS

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft eine NOR-Speicheranordnung aus einer Vielzahl von resistiven Speicherelementen, welche jeweils aus einer Serienschaltung einer resistiven Speicherzelle und eines MOS-Speicherzellenauswahltransistors aufgebaut sind, wobei der transistorseitige Anschluss jedes Speicherelements mit einer ersten Stromleitung verbunden ist, an welcher eine Referenzspannung anliegt, während der speicherzellenseitige Anschluss jedes Speicherelements mit einer zweiten Stromleitung verbunden ist, an welcher eine Arbeitsspannung anliegt. Ferner betrifft die Erfindung eine NAND- Speicheranordnung aus einer Vielzahl von in Form von Ketten in Serie verschalteten resistiven Speicherelementen, welche jeweils aus einer Parallelschaltung einer resistiven Speicherzelle und eines MOS-Speicherzellenauswahltransistors aufgebaut sind, wobei ein Anschluss einer Kette mit einer ersten Stromleitung verbunden ist, an welcher eine Referenzspannung anliegt, während der andere Anschluss mit einer zweiten Stromleitung verbunden ist, an welcher eine Arbeitsspannung anliegt, wobei die erste Stromleitung auf der den MOS- Speicherzellentransistoren dieser Kette zugewandten Seite der Speicherzellen verläuft, während die zweite Stromleitung auf der den MOS-Speicherzellentransistoren abgewandten Seite der Speicherzellen verläuft.