发明名称 |
Herstellung von porösem Silicium |
摘要 |
Eine poröse Siliciumoberfläche wird hergestellt durch Hindurchbewegen von platten- oder strangförmigem Siliciummaterial (1) durch ein Bad (5), in dem eine elektrolytische Behandlung abläuft. Das Elektrolytbad (5) kann sich in einer Wanne an der Oberfläche des Siliciummaterials befinden, auf diese aufgestrahlt oder -gewalzt werden, oder das Material wird in das Bad getaucht und hindurchgezogen.
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申请公布号 |
DE19936569(B4) |
申请公布日期 |
2006.04.27 |
申请号 |
DE19991036569 |
申请日期 |
1999.08.03 |
申请人 |
ROBERT BOSCH GMBH |
发明人 |
ARTMANN, HANS;FREY, WILHELM;LAERMER, FRANZ |
分类号 |
H01L21/3063;C25F3/12;C25F7/00;H01L21/306 |
主分类号 |
H01L21/3063 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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