Mehrbelichtungs-Halbleiterherstellungsmaskensätze und Verfahren zum Herstellen von solchen Mehrbelichtungsmaskensätzen

摘要

Maskensätze sind geschaffen, die verwendet werden können, um eine erste Musterregion, die ein Muster mit einer ersten Schrittweite aufweist, und eine zweite Musterregion, die ein Muster mit einer zweiten Schrittweite aufweist, während der Herstellung einer Halbleitervorrichtung zu definieren. Diese Maskensätze können eine erste Maske aufweisen, die eine erste Belichtungsregion, in der ein erstes Halbtonmuster die erste Musterregion definiert, und eine erste Abschirmregion, in der eine erste Schutzschicht die zweite Musterregion bedeckt, aufweist. Diese Maskensätze können ferner eine zweite Mske aufweisen, die eine zweite Belichtungsregion, in der ein zweites Halbtonmuster die zweite Musterregion definiert, und eine zweite Abschirmregion, in der eine zweite Schutzschicht die erste Musterregion bedeckt, aufweist. Die zweite Schutzschicht erstreckt sich ferner von der zweiten Abschirmregion, um einen Abschnitt des zweiten Halbtonmusters zu bedecken.