发明名称 读取一快闪记忆体装置之方法
摘要 本发明提供一种读取一快闪记忆体装置之方法,其中一预定单元之状态之读取方式为:将经由复数个位元线连接至一记忆体阵列之复数个分页缓冲器分成至少两组,并且该等分页缓冲器系以组为基础相继被驱动。避免了因所有分页缓冲器同时运作产生过度电流消耗而引起的功率损耗问题。因此,本发明所揭示之方法可防止由于功率损耗而产生错误操作。
申请公布号 TW200615961 申请公布日期 2006.05.16
申请号 TW094112155 申请日期 2005.04.15
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 金德柱
分类号 G11C16/26 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 韩国