| 摘要 |
本发明揭示防止非挥发性浮动闸极记忆体(NVM)单元中之过度穿隧的方法及装置。一个别单元包含：一具有一电晶体之电路，该电晶体具有一储存电荷之浮动闸极；及一用于诸如藉由穿隧而自该闸极提取电荷之电容器结构。一中和电路防止自该浮动闸极提取电荷至超出一临限值的程度，因此防止过度穿隧或对其进行修正。在一实施例中，该中和电路将电子供应至该浮动闸极，以补偿超出一临限点之穿隧。在另一实施例中，该中和电路包含一开关及一感应器，该感应器系用以当达到适当临限值时触发该开关。可以多种适当方式配置该开关，以便防止将一高电压施加至该电容器结构上，或防止将一电源施加至该电晶体之一端子或该电晶体之一井上。 |
