防止记忆阵列读取边限缩小的系统与方法

摘要

一超循环氮化物唯读记忆体(NROM)元件耦合至一NROM阵列，使得当NROM阵列中的NROM元件被抹除时，该超循环NROM元件的两个位元也被抹除，随后程式化该超循环NROM元件的右侧位元，以便从超循环NROM元件未程式化的左侧位元获得该超循环NROM元件的临界电压差，接着根据超循环NROM元件的临界电压差得到一循环次数，再根据NROM阵列的循环次数得到一临界电压偏移量，最后根据NROM阵列的临界电压偏移量计算得出一抹除电压，如果该NROM阵列再被程式化，可对NROM阵列中未程式化的NROM元件施加该抹除电压以进一步减少临界电压。