半导体制程与内层介电层的制造方法

摘要

一种半导体制程，系先对一介电层进行平坦化制程。接着，在介电层上形成材料层。之后，在材料层与介电层中形成开口。然后，在后续进行热处理制程时，前述材料层会变成具有压缩应力的材料层，以防止介电层产生缺陷。另外，本发明亦提供一种内层介电层的制造方法，系先在基底上形成介电层，再对介电层进行平坦化制程。接着，在介电层上形成材料层，其中材料层在经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层。因此本发明藉着经热处理后会转变为具有压缩应力的材料层，可避免在介电层中产生裂隙的问题，以提升制程的良率。