发明名称 在基底金属电极上之金属氧化物陶瓷薄层
摘要 一种方法,其包括形成电容器结构,该电容器结构包括电极材料和在该电极材料上的陶瓷材料;以及在该陶瓷材料的点缺陷状态界定该陶瓷材料为绝缘性之条件下烧结该陶瓷材料而不使电极材料氧化。一种方法,其包括在导电性箔上沉积陶瓷材料;以及于一还原性气体环境中在减低点缺陷移动性而至转变到对应于该陶瓷材料更大传导状态之温度下烧结该陶瓷材料。一种装置,其包括一第一电极;一第二电极;和一插置于该第一电极与该第二电极之间的陶瓷材料,其中该陶瓷材料包括小于1微米之厚度与一对应于其中移动性点缺陷业经最佳化的热力学状态之漏电流。
申请公布号 TW200618006 申请公布日期 2006.06.01
申请号 TW094121671 申请日期 2005.06.28
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 闵庸基;圣吉斯 巴兰杜斯
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国