可切换记忆体二极体-新记忆体装置

摘要

本发明提供用来形成与记忆单元(100)整合的一个二极体组成部分以便有助于烧录由记忆单元构成的记忆单元阵列(300)之系统及方法。该二极体组成部分可以是设有具有不对称的半导电特性的被动层(104)及主动层(102)之记忆单元(100)的PN接面(106)之一部分。此种配置减少了若干电晶体型电压控制及相关联的电力消耗，同时可以烧录作为被动阵列的一部分之个别记忆单元(100)。此外，该系统提供晶圆表面上的记忆单元之有效率的配置，且增加了电路设计可用的空间量。