在半导体基底表面上具有低表面梯度之扩散埋层形成方法

摘要

一种在半导体基底表面上具有低表面梯度之扩散埋层形成方法。形成一第一硬遮罩于一半导体基底上，执行一热氧化步骤，以形成复数个区域场氧化物于此半导体基底被暴露的部份。移除第一硬遮罩，及形成一第二硬遮罩于此些区域场氧化物及此半导体基底上，执行一等向性蚀刻步骤，以蚀刻被暴露的区域场氧化物及半导体基底。移除第二硬遮罩及位于其下方的区域场氧化物，以形成复数个渠沟于半导体基底中。形成一扩散埋层于半导体基底中环绕此些渠沟。