| 摘要 |
利用有机金属化学气相沈积(MOCVD)在矽(Si)基板上生长二氧化钛(TiO2)薄膜具有高的介电常数，但由于TiO2薄膜是多晶结构，其晶界具有很多缺陷及悬键，故其漏电流也非常大，另TiO2有较低的能隙，不易阻挡热离子发射电流(thermal ionic emission current)，也是漏电流非常大的原因之一。一般克服的方法是将二氧化矽(SiO2)薄膜制作在MOCVD–TiO2／Si的界面而形成MOCVD–TiO2／SiO2／Si之结构，漏电流可大为改善，这是因为SiO2薄膜生长在Si基板上具有良好的品质且具有较高之能障，但此种结构的缺点却失去原本TiO2薄膜所具有的高介电常数，因为TiO2薄膜生长在SiO2上为非晶结构，且低介电常数之SiO2薄膜会降低整体氧化层的电容值。如果利用液相沈积法(Liquid Phase Deposition–LPD)生长SiO2薄膜覆盖在MOCVD–TiO2@ eB!／Si上形成LPD–SiO2／MOCVD–TiO2／Si之结构，这将可保有原本MOCVD–TiO2／Si高介电常数之特性，而且由于是LPD–SiO2薄膜的高能障和从LPD溶液而来的氟离子可钝化MOCVD–TiO2薄膜晶界上之悬键，在漏电流方面将可大为改善。因此，LPD–SiO2／MOCVD–TiO2／Si结构不但具有高的介电常数，而且有较低之漏电流。 |
