发明名称 | 相转移元件及其制造方法与相转移记忆胞 | ||
摘要 | 一相转移元件,包含一第一接触电极结构,一相转移材料及介于该相转移材料与该第一接触电极结构之间的一第一绝缘材料,以及与该相转移材料接触的一第二接触电极。也包含形成于介于该第一接触电极结构与该相转移材料之间的该第一绝缘材料中的一接触结构。该接触结构系藉由一绝缘材料分解过程形成。也描述一种形成一相转移元件的方法。 | ||
申请公布号 | TW200618255 | 申请公布日期 | 2006.06.01 |
申请号 | TW093135397 | 申请日期 | 2004.11.18 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明修;陈逸舟 |
分类号 | H01L27/00 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |