具有多重晶格之光子晶体发光装置

摘要

本发明揭示一种包括一光子晶体结构之半导体发光装置，该光子晶体结构系半导体层中之一电洞晶格。该光子晶体结构包括多重晶格。在某些具体实施例中，该装置包括形成于该等半导体层之一第一区域上之一第一晶格与形成于该等半导体层之一第二区域上之一第二晶格。可选择该第一晶格之参数以使该装置之总辐射功率最大化。可选择该第二晶格之参数以使撷取到该半导体堆叠之一表面上之一30°锥体中之光最大化。