形成半导体结构的方法

摘要

一种形成半导体结构的方法，系用来改善闸极控制与末端覆盖结构，此方法包含以下步骤。一闸极介电层在具有一主动区的基材上形成。一闸电极层在闸极介电层上形成。一第一光阻在闸电极层上形成。闸电极层与闸极介电层随后被蚀刻以形成闸极结构与空置图案。第一光阻随后被移除。一第二光阻形成用以覆盖闸极结构。未受第二光阻保护的空置图案被移除。第二光阻其后亦被移除。