发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一种发光二极体的制造方法,其包括下列步骤。首先,在一磊晶基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。然后,在第二型掺杂半导体层上形成一金层。提供一矽基板,并对于矽基板与金层进行一晶圆接合制程,然后移除磊晶基板。基于上述,本发明之发光二极体的制造方法能够制造出具有较佳可靠度与较佳发光效率的发光二极体。特别地,本发明亦揭露一种发光二极体。
申请公布号 TW200623449 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW093141078 申请日期 2004.12.29
申请人 国立中央大学 发明人 刘正毓;许世杰
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号