发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一种发光二极体的制造方法。在一磊晶基板上依序形成一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层。在第二型掺杂半导体层上形成一键合层。令一转移基板与磊晶基板之键合层相结合。移除磊晶基板。移除部分第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层,以暴露出键合层之部分表面。图案化键合层,以形成相互分离之一第一键合部与一第二键合部,其中第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层系位于第一键合部上。在第一型掺杂半导体层上形成一接垫。形成连接接垫与第二键合部之一导线。
申请公布号 TW200623448 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW093140883 申请日期 2004.12.28
申请人 国立中央大学 发明人 刘正毓;赖元泰;王信介
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 桃园县中坜市中大路300号