具多闸极介电层之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种具有一双闸极介电层之半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：一矽基板，其被分成一单元区域，其中形成NMOS电晶体，及一周边区域，其中形成NMOS及PMOS电晶体；一在该单元区域中之该矽基板上形成的目标二氧化矽层；一在该周边区域中之该矽基板上形成之氮氧化物层；一在该单元区域中形成之第一闸极结构；一在该周边区域之一NMOS区域中之该氮氧化物层上形成的第二闸极结构；及一在该周边区域之一PMOS区域中之该氮氧化物层上形成的第三闸极结构。