金属氧化物半导体电晶体以及制造其之方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物半导体(MOS)电晶体，其包括：一具有至少一个源极接点之源极区；一具有至少一个汲极接点之汲极区；及一连接于该源极区与该汲极区之间的闸极，其中包括于该源极区中之源极接点的数目不同于包括于该源极区中之汲极接点的数目。