发明名称 内部排气异质外延半导体晶圆及制造如此晶圆之方法
摘要 一种异质外延半导体晶圆,包括一形成该晶圆之前表面的异质外延层,该晶圆包括一种次要材料,其结晶结构不同于该晶圆主要材料之结晶结构。该异质外延层实质上实质上无缺陷。一表层包括主要材料且不含有次要材料。该表层毗邻于异质外延层。一块材层包括主要材料且不含有次要材料。该块材层毗邻于该表层,且延伸穿过平面。且揭示一种绝缘物上矽晶圆,以及一种制造晶圆的方法。
申请公布号 TW200623207 申请公布日期 2006.07.01
申请号 TW094113979 申请日期 2005.04.29
申请人 MEMC电子材料公司 发明人 麦可R 沙逵斯特;乔治M 威尔森;罗伯特W 史丹利
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国
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