发明名称 | 记忆胞及其制造方法、记忆胞阵列及记忆胞的操作方法 | ||
摘要 | 一种相变记忆胞的制作方法。相变记忆体单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响,本方法可以制作非常小的相变记忆胞。 | ||
申请公布号 | TW200625542 | 申请公布日期 | 2006.07.16 |
申请号 | TW094100033 | 申请日期 | 2005.01.03 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜 |
分类号 | H01L21/8239 | 主分类号 | H01L21/8239 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |